LED MOCVD设备的市场现状及其国产化问题分析.pdfVIP

I7 ，’··^ l’．， … …一 LEDMOCVD设备的 市场现状及其国产化问题分析 胡兴军 摘 要 ：此文认为 ，在我 国LED扩大产能迫切 需求 的背景下 ，现 阶段提 出LED MOCVD设备的国产化问题有其特殊价值 ，但其国产化进程却面临着一些现实困境。 关键词 ：LED；MOCVD；市场现状 ；国产化问题 1MOCVD设备概述 频感应加热石墨基座 (衬底基片在石墨基座上方)， H通过温度可控的液体源鼓泡携带金属有机物到 1}MOCVD技术 生长区。概括起来 ，MOCVD技术具有如下几个优 M OCVD即金 属 有 机 化 合 物 化 学气 相 点：①适用范围广泛，几乎可以生长所有化合物 淀 积 (Metal—OrganiC ChemiCaIVaPOr 及合金半导体 ；②非常适合于生长各种异质结构 DePOSjtiOn)，是作为在气相外延生长 (VPE)的 材料 ；③可以生长超薄外延层 ，并能获得很陡的 基础上发展起来 的一种新型气相外延生长技术 ， 界面过渡 ；④生长易于控制；⑤可以生长纯度很 MOCVD以 III族 、 Il族元素 的有机化合物和V、 高的材料 ；⑥外延层大面积均匀性 良好 ；⑦可 以 VI族元素 的氢化物等作为晶体生长源材料 ，以热 进行大规模生产。 分解反应方式在衬底上进行气相外延 ，生长各种 m—V族 、 Il—VI族化合物半导体 以及它们的多元 2JMOCVD设备 固溶体 的薄层单晶材料。 MOCVD技术自上世纪六十年代首先提出以 通常MOCVD系统中的晶体生长都是在常压或 来，经过七十至八十年代的发展 ，九十年代 已经 低压 (10～100Torr)下通H的冷壁石英 (不锈钢)反 成为砷化镓 、磷化铟等光 电子材料外延片制备 应室中进行 ，衬底温度为500。C～1200oC，用射 的核心生长技术 。目前已经在砷化镓 、磷化铟 PractiealXeehnolo~Sharon实用技术沙龙 等光 电子材料生产 中得到广泛应用 。日本科学家 目前可 以提供工业化生产M0CVD设备制造商有 Nakamura将M0CVD应用氮化镓材料制备 ，利 限，集中程度较高，主要在欧美和日本。在全球 用他自己研制的M0CVD设备 (一种非常特殊的反 LED产业的发展带动下，近年来M0CVD设备一直 应室结构)，于 1994年首先生产 出高亮度蓝光和 处于供应紧张的状态 ，设备到货期不断被延长。 绿光发光二极管 ，1998年实现 了室温下连续激 中国M0CVD设备的供应 商主要集中在两家 ，美国 射1000od＼时，取得 了划时代的进展。到目前为 的VEECO和德国AIXTRON。 止，M0CVD是制备氮化镓发光二极管和激光器外 MOCVD设备是外延材料生长与芯片生产最 延片的主流方法 ，从生长的氮化镓外延片和器件 为关键的设备 ，不仅决定LED产品的性能，而且 的性能 以及生产成本等主要指标来看 ，还没有其 也决定LED的生产成本 。目前 ，每台MOCVD设 它方法能与之相比。 备的销售价格为二百万至二百五十万美金 (35片以