Zn0．95-xBe0．05MnxSe稀磁半导体的光谱特性分析.pdfVIP

第39卷 第 1期 激 光 技 术 Vo1．39，No．1 2015年 1月 LASER TECHNOLOGY January，2015 文章编号：1001—3806(2015)01．0135—05 Zno Beo M Se稀磁半导体的光谱特性分析 ． 95一 ． o5 付 奎 ，娄本浊 ，孙彦清 ，龙姝明，黄朝军 (1．汉中职业技术学院 机电工程系，汉中723000；2．陕西理工学院 物理与电信工程学院，汉中723000) 摘要：为了研究稀磁半导体 zn。，一Be。。MnSe(分别为0．05，0．10，0．15，0．20)随温度变化的光学特性，采 用电场调制反射光谱 、表面光电压光谱及光激发荧光光谱等测量技术 ，进行了理论分析与实验验证，取得了一系列 数据。结果表明，除 =0．1的样品外，其它样品的能隙会随Mn掺杂摩尔分数的增加而增大，这是由价带和导电中 的电子和Mn中的d层电子彼此交换的相互作用产生的微小位移所致；温度升高时跃迁信号会向低能量方向移动 ， 则是品格一声子散射效应增加所致。 关键词：光谱学；光学特性；电场调制反射光谱；表面光电压光谱 ；激发荧光光谱；稀磁半导体；硒化锌铍锰 ；温 度 中图分类号：0433．4 文献标志码 ：A doi：10．7510／jgjs．issn．1001—3806．2015．01．027 AnalysisofspectralcharacteristicsofZn0 Be0 M nSe ． 95一 ． 05 dilutedmagneticsemiconductor FUKui，LOUBenzhuo，SUNYangqing，LONGShuming，HUANGChaojun (1．DepartmentofMechanicalandElectricalEngineering，HanzhongVocationalandTechnicalCollege，Hanzhong 723000，China；2．SchoolofPhysicsandTelecommunicationEngineering，ShaanxiUniversityofTechnology，Hanzhong 723000。China) Abstract： In order to study the temperature—dependent optical properties of dilute magnetic semiconductor Zn095 一 Be005MnSe( is0．05，0．10，0．15，0．20 respectively)，based on electricfield modulationreflectance spectroscopy，surfacephotovoltagespectroscopyandfluorescenceexcitationspectra，theoreticalanalysisandexperimental verificationweremadeand aseriesofdatawereobtained．Theresultsshow that，theeneryg gap oftheothersamples， exceptthe sample of =0．1，would increasewith the increase ofMn doped mole fraction，caused by the