铁磁-半导体-铁磁异质结中电子的自旋翻转及磁电阻效应.pdfVIP

( ) ( ) 山西大学学报 自然科学版 3 1 2 : 189～ 192, 2008 Jou rn a l o f Sh anx i U n iver sity ( . Sci. E d. ) N at 　　文章编号:(2008) 020 18904 铁磁半导体铁磁异质结中电子的自旋翻转及磁电阻效应 陆文彪, 李志坚 ( 山西大学 理论物理研究所, 山西 太原 030006) 摘　要: 考虑半导体中自旋轨道耦合作用的自旋翻转效应及铁磁半导体边界处的界面势垒作用, 研究了自旋极化 电子在准一维铁磁半导体铁磁( ) 异质结中的输运行为. 数值结果表明, 随着界面势垒的增大能够实现电子 F S F 自旋的翻转. 随着两边铁磁体磁化方向夹角的变化, 磁电阻在夹角为 处出现正负转变, 而且磁电阻正负值的绝对 值关于夹角 不对称, 这些现象均起源于R a shb a 自旋轨道耦合作用而不是D re sse lh au s 自旋轨道耦合作用. 与 D re sse lh au s 自旋轨道耦合作用相比, R a shb a 自旋轨道耦合作用更能增大磁电阻效应. 关键词: 自旋轨道耦合; ; 隧道磁电阻 F S F 中图分类号: O 44 1　　　文献标识码: A 自从1990 年 和 [ 1 ] 提出自旋极化场效应晶体管的设计方案以来, 人们对 自旋极化电子的输运特 D at ta D a s [2 ] ( ) 性十分关注 . 特别是铁磁半导体铁磁 三明治异质结中的弹道量子输运已经成为近年来理论和 F S F 实验研究的热点. 以前的研究工作中, 人们不考虑半导体层中自旋轨道耦合的电子 自旋翻转效应, 而且由于 自旋轨道耦合作用的产生机制不同, 一般只单独考虑R a shb a 自旋轨道耦合作用或D re sselh au s 自旋轨道耦 合作用. 这里我们同时考虑这两种耦合作用及其中的自旋翻转效应. 由于铁磁材料和半导体材料能带的不匹配 性, 电子通过两种材料的界面时会受到一个势垒的作用, 考虑 边界势垒, 研究电子透过 异质结时的电子自 F S F 旋翻转特性. 当改变两边铁磁体磁化方向的夹角 时, 看到不同自旋轨道耦合对磁电阻产生的影响. 1　模型和理论公式 研究的体系如图1 所示, 电子在 异质结中沿着 轴方向传输, F S F X W 是异质结的横向宽度, 决定电子输运的通道, 这里假设W 很小(W 2 RD ) [ 5 ] , 可以忽略带与带之间的