Al掺杂ZnO薄膜的微结构及电学特性.pdf

浙 江 大 学 学 报!工学版 第 卷第 期 ! ! ! ! ! ’,=!’=## ! ## 年 月 ! ’()*+,’-./02+* 4*250)627 9* 2*00)2* :;20*;0 $% ## 1 3 8 3 3 ’5=$% 掺杂 薄膜的微结构及电学特性 4$ L(I ! ! # #$ $ $ H # 余 萍 !邱东江 !樊瑞新 !施红军 !吴惠桢 ! 浙江大学 物理学系$浙江 杭州 浙江大学 硅材料国家重点实验室$浙江 杭州 #= H#$I $= H#$I 浙江大学 信息与电子工程学系$浙江 杭州 # H= H#$I 摘 要#用 # # # ’ ’ ’ #陶瓷靶材为原料$通过电子束反应蒸发生长了 .*O L,O B]X L,O ]=#=$ =? ! #EB $ H B $ H 非故意掺杂及 掺杂的 薄膜 采用 射线衍射’ 散射及霍尔效应技术研究了薄膜的晶体微结构及电 L, .*O = M a+G+* 学特性 结果表明$由 # # #的靶材生长得到的 掺杂 薄膜仍具有高度 轴取向的 = .*O L,O B0 =$ L, .*O %F #EB $ H B 纤锌矿晶体结构$但随着薄膜中 掺入量的增加$其 轴取向性有所退化 光谱测量表明$ 掺杂 薄 L, %F a+G+* L, .*O 膜的本征内应力随着 掺入量的增加而增大$ # # 薄膜中 和 的原子个数比为 $此时 L, .*O L,O L, .* %eC! =CD $ H =$ 薄膜的内应力已接近饱和 掺杂 薄膜的电阻率随着 掺入量的增加呈现先减小后增大的特征$ # L, .*O L, .*O =CD # 薄膜具有最小的电阻率 E! ( #$这归因于该类薄膜同时具有高电子浓度 $# L,O