在多晶Al2O3衬底上化学气相沉积MgB2超导薄膜.pdfVIP

第 卷 第 期 低 温 物 理 学 报 ， 24 3 VOl .24 NO . 3 年 月 CHINESE JOURNAL OF LOW TEMPERATURE PHYSICS ， 2002 8 Aug . 2002 在多晶Al O 衬底上化学气相 2 3 沉积 MgB2 超导薄膜! ），） ），） ） ） 张正平l 3 王殿生2 3 傅兴华3 杨 健3 l）浙江大学信息与电子科学系，杭州 3l0027 2 ）石油大学（华东）应用物理系，山东东营 25706l 3 ）贵州大学物理与电子科学系，贵阳 550025 报道了制备MgB 超导薄膜的一种新方法和测量结果. MgB 超导薄膜的制备采用的是 2 2 两步异位退火方法，但与现有报道的方法不同的是，制备硼（）先驱膜采用的是化学气相沉 B 积方法，在 温度下热分解乙硼烷（ ）沉积的，然后镁（ ）蒸气中分别在 、 460C B H Mg 730C 780C 2 6 和 条件下退火，生成 超导薄膜 扫描电子显微镜观察表明制备薄膜是多晶的， 830C MgB . 2 MgB 晶粒小于2 m . X 衍射分析发现所生长的薄膜是随机取向的. 800C 条件下退火生成的 2 ! MgB 超导薄膜起始转变温度和零电阻温度分别达到35K 和24K . 结果表明，采用B H 热分 2 2 6 解化学气相沉积 先驱膜的方法在优化的沉积条件和退火条件下可以制备高质量的 B MgB2 超导薄膜 我们这种化学气相沉积 超导薄膜方法在大面积的 超导薄膜制备方面 . MgB MgB 2 2 较脉冲激光沉积方法具有优势，并且与现有的半导体工艺技术相兼容，有利用实现MgB 超