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维普资讯 第 11期 电 子 元 件 与 材 料 、b1．24N0．1l 2005年 11月 ELECTRONICCOMPONENTS＆MATERIALS NOV．2005 Co掺杂对BST薄膜介电性能的影响 高丽娜，杨晓静，张良莹，姚 熹 (同济大学功能材料研究所，上海 200092) 摘要：用sol-gel法在 PtT／i／SiO2／Si(100)~底上制备了掺Co的钛酸锶钡 (BST)薄膜，研究了co的掺杂量x(Co) 对BST薄膜的晶相结构和电学性能的影响。结果表明：随着 (co)的增加，BST薄膜的介电常数 ，介质损耗 tg6和 漏电流密度九均降低；当 (co)为5％nj，BST薄膜的 tg6,九、可调性和品质因子分别为：228．3、0．013、3．69x10- A／cm 、 15．4％ ，12．03。 关键词：无机非金属材料；BST薄膜；Co掺杂；soI唱eI法；介电性质；可调性 中图分类号：TM384 文献标识码：A 文章编号：1001．2028(2005)11-0049．03 InfluenceofCoDopingonthePropertiesofBSTThinFilm GAOLi-na，YANGXiao-jing，ZHANGLiang-ying，YAOXi (FunctionalMaterialsResearchLaboratory，TongjiUniversity，Shanghai 200092，China) Abstract：Co—dopedbarium strontium titanate(BST)thinfilmswerepreparedbysol-gelmethodonaplatinum—coated siliconsubstrate．ThestructureandelectricpropertieseffectedbyCo．dopedwereinvestigated．Theresultsoftheresearchshow thatasthecontentofCo．dopedincreasing，thedielectricconstantanddielectriclOSSoftheBSTthinfilmreduce．Asx(Co) reaches5％，thedielectricconstant，dielectriclOSS，tunability，leakagecurrentdensityandthevalueofQare228．3、0．0l3、 3．69x10-A／cm (at10V)、l5-4％ (at200kV／cm)、1203，respectively Keywords：inorganicflOfl·m·etallicmaterials；BSTthinfilm；Cod··oped；sol·g·elmethod；dielectricproperties；tunability 近年来，BST铁电薄膜因其具有优 良的介电性能 物 为 乙酸 钡 [Ba(CH3coo)2，分 析 纯 】、 乙酸 锶 而被广泛的应用于存储器，红外探测器及其他器件， [Sr(CH3coo)2，分析纯】，乙酸钻 [Co(CH3COO)2，分 其制备工艺和介 电性能受到了广泛的研究 l【J。BST 析纯】，钛酸四丁~[Ti(OC4H9)4，化学纯】，溶剂和螯 铁电薄膜具有高的可调性以及低的介质损耗，