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ZAO透明导电薄膜的制备及其特性初探 固熔体。把ZAO陶瓷靶的x射线衍射谱和ZnO的衍射谱进行比对，发现代表ZnO六方纤锌矿 结构的诸峰出现了全部向左移动的现象，这说明对应的晶面族的面间距变大，说明经过掺杂烧结 后的陶瓷靶的晶胞a轴和c轴都有拉长的现象。 图2 ZAO薄膜不同热处理温度的XRD检测结果 图1(a)A1。0。粉末的XRD谱， (a)RT(b)250。C(c)300。C(d)350。C (b)ZA0陶瓷靶的XRD谱，(c)Zn0的XRD谱 (e)400。C(0500。C(g)600。C 3．2热处理温度对薄膜晶体结构的影响 始终以(002)为主峰，样品均为平行于衬底的(002)晶面的六方纤锌矿多晶体结构，都没有 ／I c。。。)_9．1％，I c。。。，／Ic㈣=61．0％，也是所有样品中比例最大的情况。图2(d)350。C热处理 图3500。c热处理的ZA0薄膜，(a)截面和(b)平面的电镜照片 39 第七届广东省真空学会学术研讨会论文集 热处理时，ZAO薄膜出现了严格的C轴取向，呈现良好的柱状晶膜。图3印证了这一点。 但是图2(g)600。C热处理时，又可以发现(101)峰，这是由于温度过高，晶胞过分长大，晶界 缺陷增多，反而使晶粒有序性降低，C轴取向变差的结果。 (a) (b) 表1不同热处理温度下的样品(002)峰XRD衍射数据及对应的晶格常数 Table．1TheXRDdataof andthe latticeconstantannealedatdifferent crystal the(002)peak temperature 表1是各种热处理温度下，薄膜(002)峰的X射线衍射数据及其经计算对应的晶格常数和 相关数据。由表l可看出，随着热处理温度的增加，薄膜中晶粒的直径D逐渐增大。图4是根 据表l绘出的晶粒生长随温度的变化情况及c轴长度的变化情况。在4000C以下热处理，随热 处理温度的增加晶粒是逐渐长大的，其中3000C到3500C晶粒长大不是那么明显。在500。(2到 600。C晶粒没有呈现继续长大的趋势。在500。C附近残余应力和缺陷对晶体结构的影响基本消 除，晶粒尺度变化趋于平稳。晶胞C轴长度在300。C以下热处理时较ZnO体材料c=5．19(3)盖【4】15】 有拉长，而350。C到6000C高温段热处理时C轴长度与体材料的值吻合得很好。在500。C附近， C轴长度在高温段出现一个最大值。 蔷 重 重 要 讹 wavelength／nm O 图5不同热处理温度下薄膜的紫外吸收谱 (a)RT(b) 图4薄膜晶粒直径D／nm和c轴长度c／A随温度的 变化关系 2500C(c)400。C 3．3 热处理温度对薄膜光学禁带宽度的影响 40 ZAO透明导电薄膜的制备及其特性初探 如图5中a所示为未经热处理的薄膜的紫外吸收谱，吸收限在400nm附近。当热处理温度 升高到250。C时，薄膜中残余应力大大减小，表面和体内原子有足够的自由能来充分迁移，团 聚，实现晶体结构重构，此时离化杂质散射和晶界散