沟槽栅场终止型IGBT器件形貌结构的开发.pdfVIP

第=十j届中国【i*)2011IT、月镕、信皂技术、电f、仪器仪表创Ⅱ{术害“ {n、thiba m的1 I 效应的突m成果 并于lQ#竹I…☆r工【目々利’0。此基础I 1000伏25。舞fSflgIGBl嚣什J“品{f|；川r舒№化 经经历了好几代从_l|￡面型lG 性能也得到丁小蜥的改善，采用淘槽栅和场终止fFs)结构的IGBr器件技术戚为了新一代技术的亮点。在终端结 结构，常用|1勺办法是首先对硅H进行减薄处理，然后从硅片背IAJⅪ眦片进行掺杂，电压越低硅片减得越薄，在 IGBT器件的研发和产业化过程中，需要解决从器件设计、制造T艺、芯片测试、芯片封装、成品测试m及应 川层l自】的睹多课题，其中芯片制造工艺的开发是一个重点．尤其是器件形貌结构的实现和器件内杂质分布的形 成和控制率文芒委针对前者，即对器件形貌结构的开发进行了阐述。本文所阐述的方法和相关问题均来自于 1200、．淘楷栅FS—IGBT暑*件的蚪发实践，针对问题所确定的解次方案也在器件的研发过程中得到了验证。 2器件形貌结构的开发 沟槽栅场终止(FS)器件形貌结构的开发王璺包括沟槽栅彤貌结构的开发和其它方面的开发，重点是器 件终端形貌结构的开发、超薄片的宴现与超薄片丁艺加丁。 21器件沟檀栅形貌结构的开发 r 对于沟槽栅场终止(FS)器件沟槽栅形貌结构的开发是器件形貌结构开发的核心。在沟槽栅}苫一IGB 器什形貔结构n々』F发过程巾+我们提出了种新型的沟槽栅制造^法。利用该方法可以制造出沟槽底部氧化硅 薄膜厚、侧鼙氧化砬薄膜薄的沟槽栅氧化硅薄膜结构，以实现器件栅耐压的提升。减小栅极与集屯极问电容． 加决开关速度的口的。(见斟1) ]『 豳豳。0≤≥』1 月1新型沟槽栅制造方法下存阶段∞形貌结构 开发出的沟槽栅底部形貌结构) 陵方法^々制造过程是在前层T艺的基础上，首先制备氧化硅一氯化硅氧化硅(0N0)薄膜，并以该薄膜作 为硬掩膜在芯片表面的兀胞匣刻蚀出淘槽(如罔Ifa)所示)，为r去陈沟槽刺蚀产生的缺陷，进{r了牺牲氧化和 到蚀，此次划蚀同时也将ONO薄膜最上层的氰化硅薄腹刻蚀干净，在此之后冉氧化，低住生K氯化硅薄膜， 这样在沟槽中硅的r层为氧化硅和氯化辞层．沟槽外孙片表丽为氧化畦、氯化辞氧化辞和氧化硅层(如同l㈨ 所示】。以反应离F￡0蚀(RIEb／1甜、将淘槽底部的氮化硅薄膜刻蚀干净，l目口f将淘接外硅片表面上层的氮化硅薄 膜刻蚀干净．井保持一定的过割蚀，该过到蚀不』≈将淘榔底i{【：的氧化硅薄膜女4蚀下净，姒免导跫硅衬底损伤。 16 第=十j届中国(i津)2011『T、月镕、信息技$、电f、倥镕位表创新学术会 之后对淘榴』斯r』自鄙氰化(I门cnsJ，从而枉沟槽底部牛长一层厚的氧化硅薄膜心Ⅱ同l(tJ)，将沟槽侧壁和淘槽外 而硅片丧向的氧化硅薄膜和氮化硅薄膜刻蚀r净只在淘槽底部留F一层氧化硅薄膜。接F来进行丁栅氧化和 发出了所需耍的淘槽彤貌结构㈣罔1fe)所乔)，实现r淘槽底部氰化硅薄膜厚度比沟槽侧壁厚的沟槽栅i^构(如 图1m研玳1 22器件其它形鞭结构的开发 221器件终端形貌结构的开发 器件元胞的形貌结构由栅电扳、层间绝缘层、接触孔、金属电极和钝化层组成。我们使用氧化硅薄膜作为 金属层与器件层之问的层问绝缘膜。通过刻蚀和热处理，形成接触孔，淀积金属，形成互连(如用2(a1所示)， 之后再刻蚀金属形成电极．最后在盘属层之上形成钝化层，并开山键台孔。器件终端的形貌结构由复台场限环、 复台场板、层问绝缘层和钝化层构成。在层问绝缘膜到钝化膜之问的j二序，元胞的加工和终端的加工同时进{r． 筢们采用复台场限环和复合场板构成的复合耐压环作为器件终端结构，复合场限环由轻掺杂的场限环和重 耪杂的场限环通过剿蚀出的耐压环窗口闩对准掺杂复合而成．复合场板m掺杂多品硅场板(如罔2m)所示)和 金届场板复台而戚，金属场板与场限环通过衬底接触孔相连接，金屈场限环也通过接触孔与掺杂多品硅场板连 接，场板之r为钝化层。通过采用复合耐胝环结构，町在满足器件耐胝要求的同时碱小芯片尺寸。 22