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动态晶格应变对锰氧化物薄膜体系磁／电输运性质的影响 王晶胡风霞际岭赵莹莹孙继荣沈保根 中唐科学院物4研兜所礁学同家重点实验室，北京1∞l如 由于强烈的电声耦台作用，锰氧化物薄膜中的品格应变效应对于众多物理特性如居里温度、 磁存向异性以及输运等有重要的调节作用。然而山于薄膜中固有的缺陷、组分偏析、微结构等因素 与衬底诱导的品格应变交织在一起．因此彻底地理解锰氧化物薄膜体系中品格应变效应背后的物理 机制仍然面临巨大的挑战。最近．实验表明通过压屯衬底在薄膜中实现外电场可控的动态晶格应变 可以喜接定量测量应变相关的物理特性，从而为研究锰氧化物薄膜中的应变效应捉供一个崭新的手 段【l】。本文报导07Pb(M910h『b2B)仉-0 品格应变对薄膜磁性和输运特性的蟛晌。 以下)的磁电阻行为：进一步地．～O 16％的应变变化可以甘致(La，Sr)MnO，薄膜中电荷轨道有序态 的磁电阻下降50％(图1)。进一步的研究表明．张应变在电荷轨道有序态的形成中起关键作用，相 对顺磁无序相，电荷轨道有序态对张应变状态的改变更为敏感。对(La，Ba)IVfnO，体系的研究则表叫抖 电场诱导的品格应变和极化效应同时影响输运性质，两者之间存在竞争关系．极化效应主要影响金 属绝缘体转变温度T川以下区域．而品格应变则在1■t附近(及T”-以上)占主导地位。更进一步地， 我们发现异质结的界面势垒随张应变(外电场)呈线性依赖关系，定性的模拟计算表明j＆麻变的减 弱在结界面激发出受缚电荷．增强了载流子浓度，导致耗尽层减小增大了电子的隧穿几率，从而降 低了有效势垒的高度。 7 本文得到国家自然科学基金．国家高技术研究发展计划，国家科技部9 3项目资助。 ● 芒一 1． _ ● 目1(h，Sr)MnO，和(1^Ce)M．03薄膜中不同应变状态下碰l“阻触温度的变化行为 参考文献 Tiliclc．ct ThleIe．et RevB 【1lc a1．Appl孙”Lc¨8t262502(2005}；Cal，Phys 75，054408(2007)