离子层气相反应法制备CuInS2半导体薄膜.pdfVIP

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2015-09-17 发布于湖北
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离子层气相反应法制备CuInS2半导体薄膜.pdf

第34卷第8期硅酸盐学报、，01．34，No．8 2006年8月 JOURNAL0FTHE CERAMIC CHINESE SOCIETY August，2006 离子层气相反应法制备CuInS2半导体薄膜钱进文，靳正国，邱继军，刘志锋 (天津大学材料学院，先进陶瓷与加工技术教育部重点实验室，天津300072) 扫描电镜和紫外一可见光谱等对薄膜的晶型、表面化学组成、表面形貌及光电性能进行了表征。分析了混合前驱体溶液中阳离子浓度比【cu】，皿】对薄膜化学计量及性能的影响。【cu】／旺n】≥1．25时，可获得黄铜矿结构的cums2薄膜，其单相形成区外【cu】／刚为1．45～1．65。关键词：铜铟硫薄膜；浸渍离子层气相反应；化学计量中图分类号：0643；1P393文献标识码：A 文章编号：0454-5648(2006)08_0937—04 PREPRATIoNoF THIN BY CuInS2FILMSIoNLAyERGASREACTIoN J{删en，J1N QIAN zhenggo，QIU曲硼．LIUZh瓣ng forAdvancedCeramicsand (KeyLaboratoI)r Machining ofEducation，SchoolofMaterials， TecllIlolo科ofMinistry TiaIljin 300072，China) uniVersi吼Tia面in Abstract：ThetIliIlfilmswere ion reaction asa and arld CuInS2 usingC2H50Hsolvem，CuCl preparedby layergas InCl3私reagems assul丘lrationsource．The a11d the of廿linfillns、Ⅳere H2Sgas s协Jctural，chemical，t叩。掣印hicaldevelopmemphotoelectricproperties electmn andul仃aViolet．visible inVestigatedbyX-raydimaction，sc锄iIlg X-ray micmsc叩Mphotoelectronspec仃oscopy spec臼os— e腩cts solutiononme of filmswere resultsshowⅡlat filInwith copy．111e stoichiome仃y ofprecllrsor CllInS2 iIlVestig