使用表面回应法和群集分析最佳化绝缘闸双极性电晶体特性.pdfVIP

第十五届全国电源技术年会论文集 使用表面回应法与群集分析 最佳化绝缘闸双极性电晶体特性 王启林。赖明宏叶肇宇 逢甲大学电子工程研究所’逢甲大学电机工程研究所(台中407) 摘要：近年来电力电子正朝向高电压、高电流及低切换损失方向迈进，而绝缘闸双极性电晶体(IGBT)在功率元件市场上更 是占有重要的一席之地。但受限于元件闸流体结构(Thyrlstor 备受限制。因此如何提高耐压，同时降低元件本身之阻抗，避免元件提早崩溃烧毁，便成为一重要课题，而本研究将提出如 of 何应用表面回应方法(ResponseSurfaceMethod，RSM)，配合实验设计(Design is)，建构出一套元件实用的数值模型建构及分析流程，以利于分析如何抑制IGBT元件提前崩溃，同时降低元件本身导通电 阻。另外，本研究方法有别于以往元件模型建构方法，借由群集分析的加人，使吾人在分析问题上更能察觉元件关键因子。 叙词：绝缘闸双极性电晶体娟百旦宓闸流体结构闩锁效应崩溃电压表面回应方法实验设计群集分析 1前言 近年来随着功率元件的改良及电子技术不断提升，因此功 率元件的应用也日益广阔。在高功率元件方面，绝缘闸双极性 Gate 电晶体(1nstdated Transistor，IGBT)(图1)自1982年被 Bipolar 发展出来后[1_4]，由于其具备金氧半电晶体结构的高速性及高 输入阻抗特性，及双载子接面电晶体低饱和电压的优点，因此很 快地成为新一碟功率切换元件[5]，但其受限于元件本身npup闸 流体结构，因此元件常随电流的增加而触发问锁效应(1atch up)， 造成元过热烧毁．故近年来许多学者对于此一问题提出许多探 讨旧“1；而综观学者所提之姐决办法与探讨，对于解决闩锁效应 方面虽有不错表现，但却也增加元件制程上的复杂度，同时在探 Collector 讨问题方面也局限于个别因子的探讨，无法对因子间作权衡。 图1 lG砑结构图 若我们能在现有制程下。借由元件本身参数的变化及参数间的 的因素而造成实验误差，影响最佳化设计的结果。因此，模型误 取舍，达到最佳化元件目的，相信对于一个工程师而言，不失为 差来源，主要来自于多项式建立方式，而本文中，我们引入群集 Sur- 一个解决之道，因此本文提出应用表面回应方法(Response分析，从后面结果与讨论中我们可清楚看到，群集分析的加入， face of Exp缸mnt，DOE)及群除了对于降低模型误差有所帮助，同时，更能使研究人员对于问 Method，RSM)，配合实验设计(D商gn 集分析(Ouster Analym)建立一套元件数值模型建构及元件分析题有更透彻分析。本文所提之表面回应方法共分为以下六大步 流程，透过此流程除能使吾人更能察觉IGBT元件关键因子，同 时又可在因子间作权衡．以得到元件最佳结构。 回归分析(Regression 2表面回应方法 A瑚lym)建立表面回应方程式。以下分别针 对各步骤作一介绍： 表丽回应方法是许多有助于问题建构与分析的数学及统计 手法的集合，其整合了实验设计、统计分析及数学应用，对于探 2．1决定设计参数 讨反应与独立变数(结构因子)之间的最佳反应值及其模型的建 在剐开始设计新元件时，工程师往往会依据经验来决定及 立与分析是一个非常有效的工具。一般而言，使用表面回应方 辨别实验设计参数的个数及其对应的响应函数，而本研究之IG-