ZnTe(ZnTe∶Cu)多晶薄膜的XPS研究.pdfVIP

第27卷，第3期 光谱学与光谱分析 200 and March。2007 7年3月 SpectrosoDpySpectralAnalysis ZnTe(ZnTe：Cu)多晶薄膜的XPS研究 钟永强，郑家贵‘，冯良桓，蔡 伟，蔡亚平， 张静全，黎 兵，雷 智，李 卫，武莉莉 四川大学材料科学系，四川成都610064 摘要用共蒸发法在室温下制备了ZnTe及ZnTe；Cu多晶薄膜，测量了电导率温度曲线，发现不掺杂的 ZnTe薄膜的暗电导随温度的增加而线形增加，呈常规的半导体材料特征；掺Cu的znTe薄膜在温度较低 时，l町随温度升高而缓慢增加，随后缓慢降低，达到一极小值，当温度继续升高时又陡然增加，呈现异常现 化明显，以ZnTe形式存在的Te明显减少；ZnTe；Cu薄膜中Zn的含量在退火前后变化明显，退火前，Zn 主要以ZnTe形式存在，退火后Zn原子向表面扩散，使表面成分