单晶硅热膨胀系数理论研究.pdfVIP

摘要 摘要 硅是微机电系统(Microelectromechanical 有完美的集成电路兼容性，还具有优质的力学(机械)和热学等特性。在砸MS的制造中， 硅不仅作为衬底材料，更担当着结构材料的重要角色。因此，对硅材料相关特性及参数的理 论研究就显得尤为重要。热膨胀系数，其宏观上与材料的残余应力和热执行器的性能紧密联 系，是砸MS中最受关注的热学参数之一。理论上，由于热膨胀系数在微观上包含了原子间 相互作用的非谐效应，因此很难在理论上得到准确的预测。目前的理论方法主要有第一性原 理的方法、紧束缚近似的方法、分子动力学的方法等。这些方法复杂而且耗时，不利于工程 上的应用，因此提供一个简单而又准确的解析模型迫在眉睫。 硅纳米结构热学特性的研究主要集中在热导率方面，而对热膨胀系数的研究却鲜有报道。作 为NEMS基本结构的硅纳米薄膜和纳米线的特征尺寸往往在几十纳米量级，远远超过了第一 性原理、分子动力学等分析模拟手段研究的能力范围。同时，连续体介质理论又无法准确描 述含有新效应的硅纳米结构的特性。因此，本文以单晶硅热膨胀系数的解析模型为基础，结 合半连续理论框架，对纳米单晶硅的热膨胀系数进行了深入研究。论文的主要内容如下： (1)提出了计算单晶硅弹性特性的扩展连续体理论。结合宏观弹性力学和微观晶格动力 学模型建立了弹性常数和力常数的关系；通过第一性原理的方法求解单晶硅的声子色散关系， 并由此优化力常数；深入研究了单晶硅弹性模量的各向异性，能够准确求出任意表面任意方 向的杨氏模量、剪切模量和泊松比，为实验工作提供了有效地参考。对应变、弹性常数和力 常数等力学参数的研究也为单晶硅热膨胀系数解析模型的建立打下了力学基础。 (2)首次提出了采用应变声子谱计算单晶硅热膨胀系数的方法，建立了基于局域准谐近 似晶格动力学理论的单晶硅热膨胀系数的解析表达式。从本质上揭示出材料的热膨胀系数与 材料的应变(应力)、声子频率、力常数、弹性模量等力学参数的关系。 (3)发展了单晶硅热膨胀系数的解析模型。以温度对弹性常数和光学声子的影响为基础， 讨论了单晶硅热膨胀系数的温度依赖性，进而给出单晶硅热膨胀系数温度效应的半经验公式， 并与其他的理论模型和实验值进行了比较和分析。 (4)探索了纳米单晶硅结构热膨胀系数理论模型的建立。将单晶硅纳米薄膜和纳米线的 弹性模量的尺度效应引入单晶硅热膨胀系数的解析模型，建立了单晶硅纳米薄膜和纳米线的 热膨胀系数解析模型。 本论文建立的热膨胀系数的解析模型将力学参数巧妙地引入到热学模型中，建立了力学 参数和热学参数的联系。同时，该模型还可以求解不同维度的硅材料的热膨胀系数的值，相 关的实验数据验证了模型的正确性。本论文建立的热膨胀系数的解析模型对硅基MEMS和 NEMS的研究和设计能起到一定的参考价值。 关键字：ⅧMS，单晶硅，热膨胀系数，弹性模量，力常数，晶格动力学，应变声子谱，NEMS Abscract Abstract siliconisconsideredbe to themost andusefulmaterialfor C巧stalline appropriate microeIectromechanical thefactthatsiliconan is excelIent system似EMS)technology．Besides materialin electronicusedmost aJsohas integratedcircuits，it excellentmechanicalandthennal is and for re