不同种类散射机制对宽禁带碳化硅输运性质影响王平.pdfVIP

DO I :10.16152/j .cnki .xdxbzr.2011.02.008 () 2011 4 , 4 1 2 , Ap.r, 20 11, Vo.l41, No.2 JournalofNorthwestUniversity(NaturalScienceEdition) ·数理科学与信息科学 · 王　平, 杨银堂, 郭立新, 尚　韬 ( , 　710071) :　基于低场输运模型, 对4 H和 6H碳化硅电子霍耳迁移率和霍耳散 因子进行了理论 计算。　计算中采用了各向同性弛豫时间近似法, 考虑了对其低场输运有着重要影响的声学 波形变势散 、极化光学声子散 、谷间声子形变势散 、电离杂质散 以及中性杂质散 。 得到了不同散 机制对于碳化硅电子霍耳迁移率的影响。　该研究表明:中性杂质散 在低 温高掺杂时是控制电子霍耳迁移率变化的主导因素, 而在高温区, 电子霍耳迁移率则主要受谷间声 子散 等散 机制控制。 　　:碳化硅;电子霍耳迁移率;散 机制 :TN304.0　　:A　　:1000 274Ⅹ (20 11)02 0201 05 Effectofdifferentscatteringmechanismsonthe lowfieldtransportinwidebandGapSiC WANGPin,gYANGYintang, GUOLixin, SHANGTao (SchoolofTelecommunicationsEngineering, StateKeyLaboratoryofIntegratedServicesNetwork,s XidianUniversity, Xi′an7 10071, China) Abstrac:tAmi　TheoreticalcalculationoftheelectronHallmobilityandtheHallscatteringfactorin4 Hand6H SiCisperformed.Methods　Themodifiedlowfieldtransportmodelutilizingisotropicrelaxationtmieapproxmiation isused.Theacousticphonondeformationpotentialscattering, polaropticalphononscattering, intervalleyphonon deformationscattering, ionizedmipurityscatteringandneutralmipurityscatteringwhichhaveanmiportanteffecton lowfieldtransportinSiCareconsideredsmiultaneously.Results　Themipactofdifferentscatteringmechanismson theelectronHallmobilityisobtained.Conclusion　TheelectronHallmobilityismainlycontrolledbyneutralmipu rityscatteringatlowtemperatureandhighdopingconcentration.Buttheintervalleyphonondeformationscatteringis themainfactorforhightemperatur.e Keywords:SCi;electronHallmobilit;yscatteringmechanisms 　　(SiC) 。 4 HSCi 6HSiC , 、 , 。, [ 1-4] , 。, SiC 、、、