电场对铁电液晶分子排列的影响.pdfVIP

第 12 卷　第 1 期 液　晶　与　显　示 V o l12, N o 1 　1997 年 3 月 　 , 1997 Ch inese Jou rnal of L iqu id C rystals and D isp lays M ar 电场对铁电液晶分子排列的影响 李建军　邵喜斌　黄锡珉 ( 中国科学院长春物理研究所, 长春　130021) (北方液晶工程研究开发中心, 长春　130021) 摘　　要 本文通过在铁电液晶相变过程中施加交变电场的方法, 研究了电场对铁电液晶分子排列 的作用。实验表明在液晶相变点附近施加低频交变电场, 能够使铁电液晶分子形成均匀排 列, 从而提高了铁电液晶器件的记忆效应与对比度, 最后我们给出了合理的理论解释。 关键词　铁电液晶 (FL C ) , 分子排列, 准书架式结构 1　引　　言 [ 1 ] 自1980 年 C lark 与L agerw all 发现了铁电液晶的表面双稳 现象以来, 铁电液晶显示 器以其响应速度快、记忆特性好和对比度高等特点, 显示出将具有广阔的应用价值, 在当 [ 2 ] 时引起了人们的极大关注, 曾被誉为是下个世纪最有发展潜力的液晶显示器 。但十几年 过去了, 铁电液晶显示器并没有真正的走入市场, 其中主要的技术原因是很难得到均匀的 [ 3 ] 分子排列 。为解决这一难题, 国内外的科学工作者一直在努力寻找有效的办法。本文报 道了利用铁电液晶材料具有宏观 自发极化的特点, 在液晶注入的过程中, 对液晶盒施加交 变电场, 利用电场力的作用使液晶分子排列一致。实验结果表明这种方法对铁电液晶分子 的取向确实起到了很有意义的影响, 实验得到了均匀排列的分子取向织构。 2　实验部分 实验中使用的铁电液晶材料是 SCE- 9 (from M erck com pany) 其相变顺序为: Iso ( 114 　　铁电液晶盒的制作过程如下: 1) 将涂有 ITO 的玻璃基板在匀胶机上均匀涂上聚酰亚胺 (P I) 后, 在 300 ℃的环境下 将基板固化 2 个小时; 然后在摩擦机上进行摩擦, 对液晶盒两玻璃基板上的摩擦为平行方 ( ) 向摩擦 预倾角大约为 3 °, 最后封盒制成待用的液晶样品盒。 2) 将未灌注液晶的空样品盒放入 自制的控温系统中, 当系统处于 130 ℃的时候, 将铁 1997 年 2 月 14 日收到 1 期 　李建军等: 电场对铁电液晶分子排列的影响 13 电液晶注入液晶盒内,