ArO2对磁控溅射法制备Bi1.5MgNb1.5O7薄膜结构与性能的影响.pdf

V01．36 第36卷第3期 南京工业大学学报(自然科学版) No．3 2014 TECH Science May 2014年5月 JOURNALOFNANJINGUNIVERSITY(NaturalEdition) doi：10．3969／j．issn．1671—7627．2014．03．001 MgNbl．507 Bil．5 Ar／02对磁控溅射法制备 薄膜结构与性能的影响 高 虹，朱明康，吕忆农，刘云飞 (南京工业大学材料科学与工程学院材料化学工程国家重点实验室，江苏南京210009) 摘要：采用射频磁控溅射法在不同Ar／O：流速比下制备铌镁酸铋(Bi。MgNb。50，，BMN)薄膜。通过x线衍射仪 (XRD)、原子力显微镜(AFM)和阻抗分析仪分别对薄膜的相结构、表面形貌和介电性能进行表征。结果表明：经 过700℃O，气氛下退火处理，BMN薄膜形成立方焦绿石单相结构。当Ar／02流速比为2：1时溅射薄膜的表面粗糙 度较小，漏电流较低，具有高的介电常数、低的介电损耗(1MHz的测试频率下介电常数和介电损耗分别为158和 0．4％)，并且在0．8MV／cm的外加电场下介电可调率和优质因子分别为16．4％和36。 关键词：BilsMgNbl507薄膜；磁控溅射；介电性能；Ar／02流速比；调谐率 中图分类号：0484 文献标志码：A 文章编号：1671—7627(2014)03—0001—06 Effectsof onstructureand of Ar／02 propertiesBil．5MgNbl．507 films preparedbymagnetronsputtering GAO Yunfei Hong，ZHUMingkang，Lt)Yinong，LIU of Chemical ofMaterials Materials—Oriented (StateKeyLaboratory Engineering，College Scienceand Tech University，Nanjing210009，China) Engineering，Nanjing were radio Abstract：Bismuthniobate(Bi1507，BMN)filmsdepositedby frequency magnesium l 5MgNb underdifferentflowrateratio．The microstructure (RF)magnetronsputtering Ar／02 phasestructure，the andthedielectr