CoCrPtCrTi玻璃盘基硬盘记录介质的制备与性能.pdf

第33卷第1期 华中科技大学学报(自然科学版) Vd．33No．1 2005年1月 Univ．ofSci．1kh．(Naturescie眦e 2005 J．Huazhong Edition) Jan． CoCrPt／CrTi玻璃盘基硬盘记录 介质的制备与性能 胡用时 游 龙 万 仞 李佐宜 (华中科技大学电子科学与技术系，湖北武汉430074) 摘要：采用射频磁控溅射方法制备了C。CrPt／CrTi玻璃盘基高密度硬盘薄膜记录介质，讨论并分析了溅射气 体的气压、基片温度、底层和磁性层组分对高密度硬盘记录介质性能的影响，给出了介质的底层、磁记录层的 最佳组分和溅射中最佳工艺参数范围．其最佳组分、结构与工艺参数为：CC嘲Crl7Ptl5／Cr85Ti】5双层膜结构，氩 气压为0．56～0．60Pa，在550℃纯N2保护下保温1h后在炉内自然冷却至室温．实验结果表明采用优化工艺 条件，并经过退火处理后可以得到适于巨磁电阻磁头读写的高密度硬盘记录介质． 关键词：硬盘记录介质；射频磁控溅射；玻璃盘基；高密度 中图分类号：TM21文献标识码：A 文章编号：1671—4512(2005)01—0047—03 ofCoCrPt／CrTiharddisk mediaand Preparation recording its substrate propertiesbyusingglass 胁tl，072时il，0“上刀，29W咒R已咒乜Z“咖 harddisk mediawith ra— Abstr舵t：C()CrPt／Crl、i substratewas re∞rding high—densitybyglaSS preparedby dio effectofAr and frequency(RF)magnetronsputtering．ThepreSsure，substrate on ofharddisk mediawith wasstudied．The nlagneticlayercompositionpI．operties recording highdensity of and andbest of technical were best锄pDsitionunderlayermagneticlayer rangessputtering para【H1eter listedas double structure atthe follows：usingC％8Crl7Ptl5／Cr85Til5la”r and∞ntrollingthe脏preSsure of0．56～0．60 at550℃for1hunder and toroOm range Pa，annealing pureN2protection000ling tempera— tureinthefumace．Theresultshowsthat conditionand films、vere