Cu(In,Ga)Se_2薄膜表面镓(Ga)含量分布对太阳电池性能的影响.pdf

第39卷第1期 人 工 晶 体 学 报 v。1．39N。．1 OFSYNTHETICCRYSTALS 20lO年2月 JOURNAL February，2010 分布对太阳电池性能的影响 王 赫，刘芳芳，孙 云，何 青，张 毅，李长健 (南开大学光电子薄膜器件与技术研究所，天津市光电子薄膜器件与技术重点实验室，天津300071) 摘要：本文利用三步法共蒸发制备cu(In，Ga)se：多晶薄膜吸收层，通过改变第三步Ga的蒸发温度控制薄膜表面 Ga的含鼍及其分布。随着吸收层表面Ga含量的增大，空间电荷区带隙变宽，电池的开路电压k明显增大。同时， Ga的梯度分布有效地扩宽了吸收层的光谱响应范围，减小了由于禁带宽度增大所引起的短路电流L的损失，从而 有效地提高了电池的转换效率。 关键词：Ga梯度分布；吸收层表面；开路电压k；短路电流L 中图分类号：TM615 文献标识码：A Gallium ontheSurfaceof Absorber Grading Cu(In，Ga)Se2 andItsEffectsonthePerformanceofSolarCells WANG Yun，HE Yi，LI He，HU几，w知ng，SUNQing，ZHANGChang-jian of ThinFilmDeviceand ofPhoto—electronic Photoelectronic Technology，Institute (TianjinKeyLaboratory ThinFilmDeviceand Technology，NankaiUniversity，Ti龃jin300071，China) (Receited14^P疵2009，Ⅱcc印删3May2009) thinfilmswere changing Abstract：Cu(In，Ga)Se2preparedbythree-stageCO·evaporationprocess．By thesource of inthethird eontentsanddistributiononthesurfaceof temperaturegallium step，thegallium the ofthe theabsorberscouldbecontrolled．Withtheincreaseof contenton surface thin gallium film，the bandof resultedintheincreaseofthe circuit gap SpaceChargeRegion(SCR)waselevated，which open ofsolarcells．In the of ofCIGS voltage