AlN靶材射频磁控溅射制备AlN薄膜及性质研究.pdf

第 卷第 期 新疆大学学报 自然科学版 , 年 月 , 靶材射频磁控溅射制备 薄膜及性质研究 阿布都艾则孜 阿·布来提 , 杨世才 , 简基康 , 郑毓峰 , 孙言飞 , 吴 荣 新张大学 物理科学与技术学院 , 新疆 乌稗木齐 摘 要 以 作为靶材 , 使用射频磁控溅射法在 和玻璃衬底上 , 在纯氮气气氛条件下制备得到 薄 膜 , 并研究了衬底温度对薄膜 的结构 , 形貌和性质 的影响 实验表 明 , 衬底温度为 的条件下制备的 薄膜 具有 轴择优取 句 , 薄膜表面均匀 、致密和平整 , 均方根粗糙度为 随着基片温度的增加 , 薄膜的折射率 增加 , 对应着薄膜从非晶态到晶态过程 的演变 关键词 靶 射频溅射 倾斜扫描 折射率 中图分类号 文献标识码 文章编号 一 一 一 傲 , 一 , 一玩 , 一 , 一 , 印 夕乞 乞 二 四, , 爪匆 二夕陇乞 。乞忿, , 。叮葱, 瓜可乞叼 夕哪民 云 盯 饰 , 罗 , 一 引 言 一族半导体氮化物 、 、 、 在光学 、电学和半导体领域具有很大应用潜能 氮化铝 具有许多突出的物理化学性能 , 如宽的直接带隙 , 大的击穿场强 , 高的热导 率 , 良好 的化学稳定性 , 高表面声波速度 , 高熔点 , 低 的热膨胀系数等 这些性质使它成 为微 电子学和光学领域 内光 电器件 的绝缘层和缓冲层 的最佳材料 一‘ 在 目前 的 一族半导体氮化物材料研究 中 ,制备高质量 薄膜是人们关注的重要 问题之一 各 国学 者利用不 同的方法合成具有一定择优取 向的 薄膜 , 例如 , 化学气相沉积法 一 , 分子束外延 法 , 激光烧蚀与沉积法 一 , 气相沉积法 ‘等 , 并取得 了一些重要 的进展 以上方法得到 了具 有一定应用前景 的薄膜 , 但制备工艺复杂 , 所需衬底温度高 , 有 的衬底温度甚至达到 。与 以上方 法 比较而言 , 射频磁控溅射法是一种大面积 、低成本的薄膜制备技术 它具有沉积温度低 、可控性强 、薄 膜结构和表面 比较均匀等特点而被广泛应用 反应磁控溅射作为一种低温薄膜生长技术 , 近年来在 薄膜的制备 中受到人们 的广泛关注 然而 , 由于反应磁控溅射过程所涉及 的控制参数 比较多 , 所 以在不 同溅射条件下制备 的薄膜在结构 、形貌和物 , 收稿 日期 一 一 基金项 目 国家 自然科学基金资助项 目 石 新疆大学博士启动基金 一。 作者简介 阿布都艾则孜 阿·布来提 一 , 男 , 硕士研究生 , 研究方 向为半 导体