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一水甲酸锂晶体生长动力学和生长机理的研究.pdf
第 卷 第 期 人 工 晶 体 学 报
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一水甲酸锂晶体生长动力学和
生长机理的研究
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王 燕 ,于锡玲 ,孙大亮 ,殷绍唐
( 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南
)’ #*)
# ’ 中国科学院安徽光学精密机械研究所,合肥#!!))
摘要:本文实时测定了 时一水甲酸锂晶体( )( )和( )面的生长速率。根据
!)# ’ )= 019 ) #)
?@@?A: 修正的用于水溶液晶体生长的81 表面扩散模型,计算了晶体生长过程的激活能以及动
力学系数。结果表明019 晶体生长主要是表面扩散控制的螺位错生长机制。
关键词:一水甲酸锂晶体; 表面扩散模型;非线性光学晶体;晶体生长动力学;生长机理;激活能
81
中图分类号: 文献标识码: 文章编号: ( )
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