浅议ITO靶材的制备方法及发展趋势.pdfVIP

第29卷第4期 有色 矿冶 V01．29．№4 2013年8月 NoN—FERROUSMININGANDMETALLURGY 2013 August 文章编号：1007—967X(2013)04—0036—05 浅议ITO靶材的制备方法及发展趋势。 崔 诣 (中国有色矿业集团有限公司，北京100029) 摘要：系统地阐述了ITO靶材的性质、特点和用途，重点介绍了目前常用制备ITO靶材的烧结 工艺和成型方法的发展现状及对应特点。在对目前国内外ITO靶材的发展情况和发展现 状进行分析的基础上，对ITO靶材未来低电阻率、高密度、尺寸大型化等发展趋势进行了 展望。 关键词：ITO靶材；制备方法；趋势 中图分类号：TB383 文献标识码：A In：0。，形成单一的In。O。相。由于靶中的空隙、溅 O 引 言 随着科学技术的不断发展，电子、通讯器材在向 速度不同，以及局部导电性能差而导致形成nodule 小型化和多功能化方向发展，应用于电子信息相关 现象。 领域的技术发展速度迅猛，因此使得应用于电信产 (5)尺寸：由于使用多块拼接的IT0靶材所 业的导电玻璃技术水平迅速提升。 进行的为了消除因多块拼接产生的拼隙影响镀膜的 ITO靶材是制作导电玻璃上ITO导电薄膜质量，对于高密度ITO靶的尺寸要求越来越大。 (TCO)的主要原材料。ITO靶材通过溅射在玻璃目前制备ITO薄膜的方法很多，主要有磁控溅 基板上形成一层透明的导电薄膜，该薄膜经过处理 射法、化学气相沉积、喷雾热分解法、溶胶凝胶法等。 后便形成常见的透明电极。 在这些方法中，使用磁控溅射的方法制备ITO导电 导电薄膜的氧化物包含有许多种类：铟锡氧化 膜为目前工业较主流的使用方法，约占功能膜的 物ITO，锡锑氧化物ATO、镉锡氧化物CTO、氧化50％以上。 镉CdO、氧化锡SnO。、氧化锌ZnO等。 1主要应用领域 在这些氧化物中n型半导体陶瓷薄膜ITO(In— diumTin Oxide)导电膜因其良好的导电性(电阻率 ITO导电玻璃目前被广泛地应用于太阳能电 10～4 Q·cm)，透光性(透过率85％)；高紫外线池、显示器、抗静电涂层等领域，近年来发展迅速，特 吸收率(吸收率85％)；红外线单向穿透性(反射率别是在薄膜晶体管(TFT)、平板液晶显示(LCD)、 80％)等优良特性。 太阳能电池透明电极涂料、火车飞机用玻璃除霜、巡 ITO靶材性能的好坏是决定导电玻璃质量、生 航导弹观察窗、建筑幕墙玻璃等领域形成相当的市 产效率、成品率的关键。导电玻璃生产厂商要求生 场规模。它的主要应用领域有如下几方面： 产过程中能够稳定连续地生产出电阻和透过率均匀 (1)由于ITO导电玻璃画面分辨率高，且应用 不波动的导电玻璃，这要求ITO靶性稳定质量优 产品具有体积薄、重量轻、功耗低等特点，目前被电 秀。影响ITO靶材使用性能的主要因素是： 子信息市场广泛应用于薄膜晶体管液晶显示器 (1)纯度：高性能的ITO靶材其纯度需大于(TFT—LCD)的制造。其应用领域广泛：计算机液 99．99％，总杂质含量不超过100 晶显示器、笔记本电脑、壁挂电视、平板电脑、手机屏 ppm。 (2)密度：相对密度大于99．5％，密度均匀度幕等。 不大于0．15