一种新颖的HEMT小信号模型参数直接提取方法.pdf

2013年第9期 文章编号：1009—2552(2013)09—0135—05中图分类号：TN911．7文献标识码：A 一种新颖的HEMT小信号模型参数直接提取方法 吕 瑛1，康星朝2 (1．西北工业大学明德学院电子信息工程系，西安710000； 2．中国通信建设第二工程局有限公司，西安710000) 摘要：建立了一套完整的直接提取高电子迁移率器件(HEMT)小信号模型等效电路参数的新 方法。采用Open去嵌图形对器件寄生电容进行近似提取，避免了ColdFET方法提取的寄生参数 为负值的现象；通过YongLoIlg方法对寄生源电阻进行提取，减少了模型参数提取复杂度。与其 它文献报道的小信号模型参数提取方法相比，该方法物理意义简明清晰，提取速度快，并且对 新材料、新器件结构有较强的实用性。 关键词：参数提取；高电子迁移率器件(HEMT)；小信号模型 Anovelanddirect methodfor parameter．extraction HEMT model small-signal LV Yin91．KANGXing．cha02 ofElectronicInformation (1．Department Engiaeering，MingdeCollege，NorthwesternPolytechnicalUniversity， Xi’an IntnarationalTelecommunicationConstruction 710000，China；2．China Corporation，Xi’8n710000，China) Abstract：An methodfor electron improvedparameter—extractionhigh mobilitytransistors(HEMT) circuitwas inthis wereextracted small—signalequivalent presentedpaper．Parasiticcapacitors byusing toavoid intheColdFET opende—embedding pads obtainingimpracticalnegativeparameter parameter- extraction sourceresistorwasobtained method．Additionally，the technology， parasitic byYongLong whichreducedthe oftraditional withthe methodwas available，the complexity methodology．Compared in in clearandconcise fast extractionand comparatively physicalsignificance，very speedextensively