量子点半导体光放大器理论的研究和InAs量子点工艺生长.pdfVIP

摘 要 由于量子点拥有独特的δ 态密度函数和三维强量子限制效应，以量子点为有源 区的光电器件具有优于传统器件的性能。就半导体光放大器(SOA)而言，量子点SOA 具有材料增益高、温度性能好、啁啾低、响应速度快等优越性能，从而在下一代全 光网络中具有广泛的应用前景。 然而由于目前工艺水平的限制，量子点的生长密度不够高、量子点尺寸及位置 分布随机性大等因素导致量子点的性能优势并不能完全发挥，量子点SOA 的一些指 标还不如量子阱SOA 高。同时，由于量子点中的压应变与量子限制效应都有增强TE 模式材料增益、压抑TM 模式材料增益的作用，量子点SOA 中偏振相关性问题也很 严重。 本论文针对目前量子点SOA 发展中存在的问题，从理论和实验两方面对量子点 SOA 进行研究。 理论方面，应用张应变量子阱耦合量子点的结构改善量子点SOA 的偏振相关特 性。分析得到了载流子输运方程及光场传播方程，并通过Matlab 对其增益特性及偏 振相关性进行了模拟分析。 实验方面，采用金属有机化学气相淀积(MOCVD)外延生长方式，在 GaAs 衬底 上进行了多组InAs 量子点的自组织生长实验，并利用原子力显微镜(AFM)和光荧光 谱仪(PL)对量子点的生长形貌及发光特性进行了测试分析。研究了温度、生长时间、 V-III 比等生长参数对量子点生长的影响；引入InxGa1-xAs 应力缓冲层以及采用In 组 分渐变的应力缓冲层结构改善量子点性能；对比研究了 0 °、2 °、15°三种不同偏 角度衬底上生长的量子点的形貌和光谱性能。 关键词：量子点 半导体光放大器 InAs 金属有机化学气相沉积 I Abstract Quantum dots (QDs) have gained considerable attentions over the recent years. The unique δ-like function density of states and strong carrier confinement indicates potential applications in optoelectronic devices. For QD semiconductor optical amplifier (SOA), they show good performance such as high material gain, good temperature stability, low chirp, high-speed operation. These enhanced performances bring SOA a bright prospect in next generation optical fiber communication systems. However, at present, there still remain problems during the growth of QDs, which lead to the ineffectiveness of its excellent performance. Particularly, some of these problems are, not enough high density of dots, a random statistical distribution of dot sizes and positions, and large polarization dependence. This thesis mainly focuses on solving present problems of QD SOA, both theoretical and experimental researching methods are taken. For theoretical study, a structure called QD-coupled-QW is proposed