一种亚纳米级栅距变化量的变栅距光栅分度控制方法分析.pdfVIP

主里型兰堕堡主兰堡垒兰 ．。。 摘 要 变栅距光栅具有像差校正、自聚焦等优点，在天文物理学、同步辐射、光 纤通信等领域有着重要的应用，因此，变栅距光栅的刻划技术一直是国际光栅 制作领域的重大课题之一。变栅距光栅要求的栅距变化量为纳米、亚纳米数量 级，这成为变栅距光栅制作的一个主要的技术难点。针对于此，美国、日本和 俄罗斯等极少数国家为光栅刻划机设计了十分复杂的分度控制系统，虽然刻划 出了具有实用性的变栅距光栅，但其复杂、昂贵的设备不适合我国光栅加工的 具体情况。 由于变栅距光栅要求的最小栅距变化量为纳米至亚纳米级，仅靠提高刻划 机的分度精度已很难实现，鉴于此，根据现有的光栅制作的具体情况，本文首 次提出了一种相位扫描方法用于光栅刻划机的变栅距分度控制，即通过对光栅 刻划机分度系统的干涉条纹采用微位移扫描方式进行相位控制，达到变栅距光 栅分度的目的。实验结果表明，本文提出的相位扫描方法原理正确，具有创新 性，达到了变栅距光栅所要求的亚纳米级的栅距变化精度。由于该方法只需在 现有的光电式光栅刻划机上附加相位扫描装置，因而系统的整体可靠性更高、 更实用。 主要研究内容： 1、 对平面变栅距光栅的聚焦特性和像差校正原理进行了较全面的综述。 2、完成了光电式刻划机控制系统的设计、制作、安装及调试，成功地对长 春光机所的2#刻划机进行了光电控制改造，并对4#光电式光栅刻划机进 行了重新改造。 3、 提出了相位扫描的方法，设计并制作了相应的相位扫描装置。 4、采用相位扫描方法进行了变栅距光栅的刻划实验，并对刻划误差进行了 初步的分析。 5、对变栅距光栅的实验样品进行了栅距的实际检测。 关键词：变栅距光栅，亚纳米，分度 Ab鞋r鑫ct Abstract wi糖thefoeal Varied abe删io珏co∽eti鹋酶敞yt}【o p∞pe对毫nd亡ho hasbeen usedinthe猷e8sofastro∞mical line．space(VLS)gfa重ingsueeess孙lly co獭mtmieat主ons81ldso 醢vsie8+svnekot∞nfadia畦on，矗bef on．Therefor岛也e of瓣VLs one tasksof也e 烈ing grat堍主s of龇铲韪船st亟撕融mt grating tof拍ric甜etheVLs its fa蹦cation．1t space is矗b埯problem grating，considering incrementvar_ieswitllinsub—n姐ometer‘Hence，the U，S．A， grat洫grmingengines，in haVe co脯ol or system． JapanRussia，f．orVLS舒atingsVerycomplieat嬲拶aduation