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第二章 MOS晶体管 第一部分 2.1 引 言 金属-氧化物- 半导体(Metal-oxide-Semiconductor)场效应晶体管，简称MOS场效应晶体管(MOS-FET) MOS器件已成为当前集成电路的基本元件 MOS晶体管的介绍 MOS晶体管有三个端子分别称为源极S(Source)、栅极G(Gate)和漏极D(Drain)。 在正常工作状态下，栅极加上一定的电压，栅极下方会形成连结源极与漏极的沟道。 载流子在电场控制下形成沟道电流。由于只有一种载流子导电，因而MOS也称为单极晶体管。 MOS器件根据沟道的特性分为n沟道MOS晶体管和p沟道MOS晶体管； 在NMOS晶体管中载流子是电子； 在PMOS晶体管的载流子是空穴。 有时也将n沟道MOSFET和P沟道MOSFET，简记作NMOS和PMOS。 根据栅压为零时导电沟道是否已经形成，又可将MOS晶体管分为增强型与耗尽型两类晶体管。 零栅压时，导电沟道未形成，无漏极（沟道）电流的晶体管称为增强型管 零栅压时，导电沟道已经形成，有漏极（沟道）电流流过的晶体管称为耗尽型管。 2.2 MOS晶体管工作原理 增强型NMOS晶体管基本结构 增强型NMOS晶体管的电流方程 参数μn 、 ε、 tox是与工艺，材料有关的量。当制造工艺确定后，是不能随意改变的。 MOS晶体管沟道宽度W 与长度L 是