aln和tolt;,2gt;掺杂体系的电子结构和光学性质的理论研究.pdfVIP

摘 要 A1N是一种很有发展前途的新型光电子材料，在A1N中掺杂Si元素，可以得到较理想 的n型A1N薄膜材料，提高系统的电导率，改善其导电性能和光学性质。本征A1N是n型 半导体，存在较多本征施主缺陷(如氮空位V、)，很难经过掺杂实现P型转变，因而无法 制得氮化铝p-n结结构，这在一定程度上限制了氮化铝基光电器件的开发应用，因此A1N 的P型掺杂就成了热点问题。 锐钛矿相半导体TiO，在光催化方面有广泛应用，其带隙为3．2eV，光催化所需最大波 长为387nm，位于紫外光区，太阳光的利用率很低。因此，为提高太阳光的催化效率，就 需要把TiO，的光学吸收边从紫外区移至可见光区，掺杂是实现这一目的的有效方法。 的电子结构和光学性质，并与可能的实验结果进行了比较。我们的计算工具是基于密度泛 函理论的CASTEP软件。 3s、 直接带隙半导体，带隙为6．2eV，其价带主要来源于N2p态的贡献，少部分来源于A1 3p态的贡献；导带主要来源于A13p态的贡献。Si掺杂后，杂质能级位于导带底附近， 与A13p能级形成复合导带底，费米能级插在导带中间，使系统发生莫特相变，由半导体 射率‰约为1．5，其峰值主要分布在6．7～8．7eV的能量范围内，当能量大于7．76eV时， 折射率随能量的增加逐渐减小；消光系数和光电导率实部的峰值位置与吸收系数的峰值位 能量损耗降低。 三种情况的杂质形成能和电子结构。结果表明，掺杂后系统的禁带宽度都变小；C．。的杂质 形成能最小，最容易形成；C^，是n型掺杂，施主能级位于导带底下约1．27eV处。C、的杂 eV 质形成能最大，最难形成；但C、可使系统实现P型转变，受主能级位于价带项约0．21 处。C。。和C、共存时，C．，对C、有补偿作用，．这对系统的P型转变不利。 系统的电子结构和光学性质。结果表明，纯TiO，是问接带隙半导体，光吸收集中在紫外区； Sc掺杂对系统的主要贡献在价带区，掺杂后系统在可见光区有明显的吸收：氧空位可以使 系统发生莫特相变，由半导体变为金属，掺杂后系统在可见光区也有较强的吸收；氧空位 X104cm～，从而 与Sc掺杂共存时系统在可见光区的吸收相干加强，光吸收的峰值可达9．1 可以明显地改善系统在可见光区的光催化活性。 关键词：纤锌矿A1N；锐钛矿TiO：；掺杂；电子结构；光学性质 Abstract be A1Nisanewkindand material．BetterA1NthinfilmsCan promisingphotoelectric n-type achievedSi ofthe canbe theconductive conductivitysystem enhanced，and by doping．Thus，the and Canbe A1Nisan properties propertiesimproved．Theas-grown n—type optical with donordefectssuchasN itis difficulttomakeAINa many vacancy(VN)，SOvery p-type theuseful hard semiconductor is