tiol;,2gt;与snolt;,2gt;压敏材料性能的研究.pdfVIP

李长鹏Ti02与SnO：压敏材料性能的婴究——苎I页 摘要 _ 敏的器过 电保压对 阻护敏缺器、特陷 由避性势 于雷来垒 其器源的 胼i霎确撕异输晶析 的电界， 电线缺阐 学路陷释 非过势了 线压垒搀 性保对杂 和护载和 消等流其 耗方子它 多面输制 余得运备 能到的工 量了影艺 的广响对 能泛，其 力的作压 ，应者敏 在用在特 电。此性 子压基的 警、 t 元敏础影一此 器电上响√轰 压件阻通，由为 于本 n文q研和究 S的帕对啦象 朗本明文夥利瓣用鳓现盯有吲的蛇条濡件觋， 胚分融别掏系随统啪研 独究 特了 性旖 能主 ，和 因受 ‘ 谢一 主搀杂对以TiO，和SnO：为主要成分的压敏材料的物理和电学等方面性能的 贡献；探索了烧结温度、烧结时间、烧结气氛和退火等工艺参数对材料各 方面性能的影响，并给以详细的阐释和分析。分别提出了相应的与ZnO压 敏电阻类似的晶界缺陷势垒理论模型。 作者在实验中尝试了大量的氧化物或碳酸化合物搀杂，发现了一些新 的具有理想压敏性能的低压和中高压压敏材料：如Ti02．№o，和 Ti02．Nb20，LO，等系列陶瓷属于低压压敏一电容多功能陶瓷； Sn02．Nb20PLi20、Sn02．1．a20，．Li20 1漫霉器鬻，i，{墨00『{ 半径的受主搀杂后，由于为了减小大尺寸的受主离子搀杂引起的晶格形变 特性．因此，适量的受主搀杂对于Sn02系列压敏电阻的制各是至关重要的； 同样，没有施主搀杂降低晶粒的电阻率，Sn02晶粒无法实现半导化。以至 陶瓷仍然无法呈现压敏特性．不论Ti02还是SnO：系列压敏电阻，施主和受 主搀杂离子对主晶格的取代或在晶界处的偏析均存在着一个极限，多余的 搀杂将反过来影响陶瓷的致密化和晶界势垒的正常生长，以至使陶瓷物理 和电学非线性性能变差．另外，烧结温度、降温速度和退火等工艺条件对 压敏电阻的性能同样具有比较重要的影响。实验中作者分别探索出了上述 几种压敏电阻的最佳搀杂和制备工艺，为其迸一步研究打下了基础．样品 的搀杂和制备工艺还将影响晶粒的尺寸和势垒的宽度，这将相应的改变压 敏电阻的反转电压和相对介电常数，有利于制备合乎不同要求萱勺压敏陶瓷。 Tio，压敏电阻具有很高的介电常数，而且可以在大气中一次直接烧结 成电容一压敏复合功能材料，实验中掺入0,25m01％Ta20，的二氧化钛压敏电 阻经1400。C下烧结显示出反转电场6V／ram、电学非线性系数口=8．8以及 矽j_-、l；i囊。， 第2页 中文摘要 李长鹏 10*，据有比较理想低压压敏一电容复合性能： 较高的相对介电常数占，=6．2X …●， 但由于Tio低压压敏势垒较低，且低电压所需的大晶粒又不可避免的降低 了材料的致密度，所以样品性能容易受烧结条件等制备工艺以及测试条件 的影响，稳定性相对差一些。SnO，系列压敏电阻本身具有高度的稳定性和 理想的压敏特性等一系列优点，在本论文中其电学非线性系数可超过口 17，但目前其研究还刚开