ⅱ-ⅵ族半体异质结构中的激子及其压力效应.pdfVIP

II一Ⅵ族半导体异质结构中的激子及其压力效应 摘要 本文研究压力对II～Ⅵ族半导体异质结构中激子的影响。 ，j 种量子阱的光致发光强度随静压快速衰减的实验现象不是应变转型(LH—HH交 叉)造成的；三是说明这种应变转型可以在量子阱中实现(以前应变转型都是在 使镉浓度x(O．17。我们还发现：镉浓度的微小改变会造成很大的调制压力的改 PL峰的更明显分裂现象。 为讨论压力导致的激子和L0声子耦合增强从而影响激子稳定的可能性，我 们用变分法计算了压力下zm，。cd。。。seQw中基态HH激子结合能并比较了在压力 计入了电子一声子互作用的影响。结果显示，对于中等阱宽的量子阱，激子结合 造成激子和LO声子耦合增强。我们还发现，在所有随压力变化的参数中晶格常 数的影响是最重要的。有效质量和介电常数同时改变对激子结合能有明显效应， 但它们各自独立的影响恰好相反。 考虑压力下势垒高度和激子结合能的改变等诸多因素对压力系数的影响， 系数。我们利用变分法计算了激子结合能并考虑了压力和电子一声子相互作用的 该结论与实验结果完全吻合。计算表明体弹性模量对压力系数影响很大，而采 用SCPA近似计算禁带宽度等三元混晶参数可使跃迁能量的计算值与实验值更加 同变化规律以及本文计算压力系数方法的误差问题作了简单讨论。 结构中激子光跃迁的差异很可能是由于超晶格和量子阱的体弹性模量不同所 致。为解释上述两种结构中激子光跃迁的差异，我们用变分法并考虑晶格蔼邀、 介电常数、有效质量特别是体弹性模量等物理参量的压力效应后计算了 子阱中的激子跃迁。结果表明体弹性模量的压力变化率占’对跃迁能量随压力的 zn。。：Cd。。Se的体弹性模量之压力导数近似为1．0。 力的变化关系。引入三角势阱近似来同时描述电子和空穴能带弯曲，用ATM方 法得到电子和空穴子带能量和波函数。在计算中计入了压力对有效质量和介电 常数特别是带阶的影响。结果表明，压力使激子结合能明显增大，这种增大主 要是压力对电子有效质量和介电常数的影响造成的。 的方法相同，但除了考虑电子和空穴能带弯曲之外，还计及了电子一声子相互作 互作用对激子结合能的贡献不可忽略。另外还发现，随着他的变化，￡(s)(考 虑电子一声子互作用后激子的结合能) 和反(‰) (采用‰屏蔽库仑势的激子 结合能)会出现有趣的交叉现象。 关键词：量子阱，II类异质结，激子，跃迁能量，压力系数，，流体静 压力 ll PRESSUREEFFECTSONEXCITONS INⅡ一VIGROUPHETEROSTRUCTURES Zi cal cs Guo PhysiMaJor) Zheng(Theoreti XiXia DirectedProfessor By Liang ABSTRACT arestudied PressureeffectsonExcitonsioII—VI hererostructures group theoretical ty。 PL hadshownthe decrease ofthe Experiments exponentialphenomenon in acertain orderto this