磁场作用下阶垒及多势垒结构中电子隧穿输运现象的研究.pdfVIP

摘要 f对半导体超晶格结构中电子隧穿输运研究的重要性无论如何 强调都不会过分毋本论文主要运用传递矩阵理论研究了台阶垒 I 一一。‘～ 及多势垒构成的半导体超晶格结构中电子的隧穿输运现象。 (1)台阶垒是介于单势垒与非对称双势垒之间的一类新颖的 -f1fIIJ量子结构，其某些隧穿输运性质既优越于单势垒又优越于 非剥’称双势垒结构。这罩虑及电子纵向、横向运动的耦合效应 发现随着纵向入射能量变化电子传输几率的共振峰随电子横向 波数的增人发!l：了左移；加纵向磁场时，考虑到电子磁耦合效 J衄，随磁场的增：fj【|或朗道量子数的增大，共振峰也发生了幺!移。 (2) 本文研究了由两种不同势垒相问周期排列而成的超晶 }备结构。rU子隧穿这种结构时发生共振劈裂现象。考虑到电子 纵、横向运动的耦合效应，劈裂的共振峰随电子横向波数的增 大类似地发，}了左移；加纵向磁场州 ：及电子磁耦合效应 随磁场的增加或朗道量子数的增大，共振峰同样地左移。这种 左移可用“有效势垒”理沦或加磁场后能带结构的改变理论来 解释。 关键词：势垒，半导体超晶格y共振隧夯：传递矩阵理西 It’s Abstractmorethan to how rtant enoughemphasisimpo itisto theelectronicstunnelth the study ingroughsemiconductor thi s workwehave the superlattices．In electronic investigated inthe structure transport and phenomenastep-barrier multipie— barrier structuretransfermatrixmethod using (1) isa novel structurebetween Step—barrier quantum r and ssessbetter double·barrier，which single-barrie po tunneling andsomeofthemare r toboth rties superio single—barrier prope structures．Conthe between anddouble—barrier sideringcoupling ofthemotionofanelectronindirections and components parallel ofthemotionofthe resonant