纤锌矿in的表面结构和氧吸附的第一原理研究.pdfVIP

摘 要 近几年纤锌矿InN半导体已成为人们关注的课题之一，本文利用基于密度泛函理论的 构，并进一步研究了氧在其上的吸附。 在富N的环境下，在所有计算的吸附结构中2x2的N原子在H，位吸附具有最低的能量。 在In化学势的整个变化范围内，和IxI的弛豫结构相比吸附结构基本上都不是稳定结构， 面研究的所有高对称点的吸附和空位结构，无论是In吸附还是N吸附结构和干净表面相 比都是相对稳定的。(ooO N吸附在T4位是最稳定的结构。 氧在hN表面的吸附，超原胞模型选取为2×2的六个InN双原子层为基底，在表面上 分别考虑吸附1／4层、1，2层、3／4层和1层氧原子。计算结果表明氧在氮化铟表面的吸附 吸附原子的吸附能随氧覆盖度的增加而减小。低的氧覆盖率对应着实际的生长环境，在实 发生作用，形成较强的化学键，即InN中形成氧杂质，进而影响InN的电子浓度和能带结 构。对于IrlN(0001)，一层氧原子吸附在T4位是最稳定的结构，氧吸附原予的吸附能随氧 覆盖度的增加而增加。在衬底In原子之上，吸附位置很大的弛豫到表面N原子层以下， 附了l层氧原子后，InN表面的态密度有很大的降低，这主要是表面In原予的悬挂键被氧 原子部分的饱和。氮化铟表面氧吸附结构的吸附能和态密度都说明InN表面很容易被氧化， 氧的掺入很可能是造成lrlN晶体高电子浓度和宽带隙的直接原因。这与实验结果是一致的。 关键词；密度泛函理论，表面再构，第一原理，氧吸附，氮化铟 Abstract thelastfew the Dunng yearsinterestintheindium hasbeen nimde(InN)semiconductor tllis atomicstructurealldthefonllation work，tIle ofrecons廿1lcted enefgy In·PolarIflN(O001)andN_polar are total on 1)su恼ces calculationsb觞ed w讹inttle (000 investigatedby energy dens蚵fimctionaltheoiy local mc 0n are densny印proximation．111enoxygenadsorptionI州(0001)aⅡd(0001)surfaces investigated lhesarne as by memodbefore． For sIllfbcest九lcturesof calcuIaleseveral jnVest培ating InN，we dozensofStructures bychoosing different cells IninimizatjonrevealsthatfonTlationoftwoindjum symme”ies，Tbtal ismore energy adlayer fh