gesic多元导体微团簇的理论研究.pdfVIP

论文摘要 在过去的几十年，由于具有基础研究方面和技术应用上的双重意义，人 们以极大的热情研究纯Ge，Si，C元素团簇的结构及其性质。本论文采用密度 泛涵分子轨道计算方法，系统地研究了三元半导体富碳微团簇的基态结构、 红外振动、HOMO—LUMO能隙等电子性质，并首次系统地、用更为精确的二级微 扰MP2理论方法，提出在半导体三元及四元环体系中普遍存在芳香性。 首先，在密度泛涵DFT和组态相互作用ClSD等多种理论水平上，对半导 体双体进行深入研究，预测AB双体(A，B=Ge，Si，C)的基态，并预测了二体 础上，我们主要预测了富碳体系Ge，Si。巴(s=l十埘+n≤10)团簇的基态结构以及 电子性质。结果表明，富碳体系Ge，SioC。(s：1+m+n≤10)团簇趋向于形成线性 或接近线性及环状的基态结构，这与富si或Ge的三元混合团簇体系倾向于 形成三维基态结构迥然不同。 本文还运用二级微忧mp2理论方法，对平面三元及四元环的半导体芳香核 A3R。+，ABzR。+，GeSiCRZ及凡R。”的芳香性进行迄今为止最严格、最全面的定性与定 量理论研究，发现它们的最高占有分子轨道HOMO都是离域的Ⅱ分子轨道，芳 均为较大(绝对值)的负值，因此判断它们都具有芳香性。我们做此结论还 依据这些体系的能量、几何结构方面的性质。 关键词： 密度泛涵理论 芳香性 从头算 半导体微团簇 离域n分子轨道 ABSTRACT has tothe the feW interestbeen structures In decades，considerable past paid and to and of carbon，silicon clustersdue both pure germanium properties and reasons。This fundamental a of technological paperpresents study systematical the state and stluctures，vibrationalfrequencies，HOMO-LUM0 ground energy gap other of semiconductorC—richclusters electronic ternary the properties us抽g Functional orbital also Density theory(molecularMO)method．wefirstly