用于铁电存储器Bi-%2c4-Ti-%2c3-O-%2c12-薄膜材料制备及性能及研究.pdf

摘 要 近年来 钛酸铋 Bi Ti O BIT 铁电薄膜材料及薄膜器件成为国内外科学工 4 3 12 作者研究的热点 Bi Ti O 薄膜材料与Si 单晶的晶格失配度小 易与硅半导体集成 4 3 12 电路兼容 对于铁电存储器有着广阔的应用前景 因此对于铁电薄膜的制备 结构 及性能的研究具有重要的意义 本文对Si 衬底和Pt/Ti/SiO /Si 衬底Bi Ti O 薄膜的 2 4 3 12 Sol Gel 法制备工艺及铁电性能进行了实验研究 在总结和分析 Bi Ti O 铁电薄膜研究现状的基础上 通过实验探索 Bi Ti O 4 3 12 4 3 12 薄膜的工艺参数和工艺流程的优化 分别在 Si 衬底和 Pt/Ti/SiO /Si