溅射氧化耦合法合成W掺杂VO2纳米薄膜及性质研究.pdfVIP

幕季天学 ∞呐垃翱～托 0 溅射氧化耦合法合成w掺杂V02纳米薄膜及其性质的研究 溅射氧化耦合法合成w掺杂V02纳米薄膜 及其性质的研究 摘要 V02薄膜作为一种温度相变特性的功能材料，具有较高的热电阻、 温度系数，一直被科学界广泛关注。当温度近68℃时，V02薄膜发生从 低温单斜结构向高温四方金红石结构的转变并伴随光学、磁学、电学 性质的可逆性突变，由于这种特性，使得V02薄膜具有广泛的应用。但 纳米薄膜具有一些更优异的性能。因此，寻求更简单的方法合成高质 量、低相变温度(室温附近)的V02纳米薄膜是近来V02薄膜的研究热 点。 研究表明通过对V02掺杂可以将相变温度降低到室温甚至室温以 纳米薄膜；首先，通过对不同氧化温度下样品的研究可知，W掺杂V02 纳米薄膜最佳氧化温度为430℃；其次，采用四探针测试仪测试了薄膜 在不同温度下的方块电阻，从而确定了V02和W掺杂V02纳米薄膜的相 变温度从68℃下降至40℃；然后，运用扫描电子显微镜(SEM)和X射线 光电子能谱仪(xPS)分别对薄膜的微观结构以及组分进行了分析；最 下的透过