ⅢⅤ族半导体三元含磷化合物的MBE生长和拉曼光谱的研究.pdf

摘要 摘要 本文以“Ⅲ．V族半导体三元含磷化合物的MBE生长与拉曼光谱研究”为 研究方向，文献调研和探讨了含磷化合物半导体器件的研究进展与应用：通过 貌变化的影响，实现了材料的MBE优化生长；利用拉曼光谱技术，对InGaP／GaAs 及InGaAs／InP材料的穿透深度、内应力和有序度等进行了深入研究。主要成果 和创新点如下： 1．采用MBE技术制备出Ⅲ．V族含磷三元化合物半导体外延材料，分析和讨论 了生长温度、In／Ga比、V／Ⅲ比等参数对材料失配度和表面形貌等相互影响 的关系。得到InGaP／GaAs优化的生长条件为：生长温度为480℃，In／Ga束 流比为1．57：1，V／Ⅲ束流比为9：1。InCmAs／InP外延层的优化生长条件为： 生长温度为460℃，In／Ga束流比为2．03：1，V皿束流比为9：1。 2．两种实验材料体系具有不同的拉曼穿透深度。对InCmAs／InP完全匹配材料 632nm的激发光都会穿透厚度在130nm～160nm之间的样品外延层达到衬底。 致峰位产生Ato的频移量。随着In组分的增加，△国的绝对值先减小后增大， Ato由负值变为正值，在晶格最接近匹配的情况下Ato的绝对值最小。拉曼光 谱中横光学峰的出现和增强表明外延层材料有序化程度的增加，对于 InGaP／GaAs材料体系随着V／Ⅲ束流比的增加，其有序度先增大后减小；随 着生长温度的增加，b／a值近似线性递减，类InPLO模的峰位发生蓝移，表 明有序度增强。 InGaP／GaAs 关键词：MBE InGaAs／InP拉曼光谱 Abstract TheMBE V-III semiconductor and gro砌_．ofcompound containingphosphorus Raman arestudiedinthis extensivereviewis onthe spectroscopy paper．An given and ofthe semiconductor phosphorus—basedapparatus．The developmentapplication MBEisintroducedandthecharacteristicsofthe of phosphorus—based technology semiconductor are of layers investigated．Thegrowthparameters epitaxial InGaP／GaAsandlnGaAs／InPheterostructuresare Raman optimized．The of isstudied．The isintroducedandthe Ramen spectroscopy penetrationdepth Raman internal．stresseffectsand effectsale with ordering analysed