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维普资讯 o) 微波功率晶体管的发展与分析 赵 正平 (机 。51) _r 3弓 摘要 奉文阐述 T国内外硅札极微 波功率晶体管和砷化嫁微 波功率场效应晶体 管的发展历史和现状，并分析 了微波功率晶体管的发展特点。介 绍 THBT， HFET，MISFET，金刚石、SiC电子器件，真空微 电子器件等用于或将用于 微波、毫米波功率领域中的情况。提 出了发展微波功率晶体管的几点想法。 主题词 微波器件，功率晶体管，硅J 场效应晶体管J砷化簿 Development and Anatyseson M icrowave PowerTransistors I1 Zhao Zhengping (Thej3 Institate，MinistryofMEI，Shijiazhaang．050051) ABSTRACT The paper describes the development and Cu．rrent stateofSibipolarmjc1~owavepower transistor and GaAS m icrO— wa e-powerFET and analyses thefeaturesofthetransistors．The conditionsthatHBT，H FET，M ISPET．diamondand SiC electronic de ices，and vacuum m icroelecfronic device are ussd or 田ill。be used in the fieldofmicrowaveandmillimeterwaveare introduced． Someopinionsondeveloping ~／icrowaveporertransistors：arealso Proposed． SUfBIECT W ORDS Microwave device，、Powertransistor，Si，FETI GaAs 如果把1964年国际上第一只GooMHz，5W 种器件。同时，laPMISFET也受到人 们 的 硅双极微波晶体管的诞生作为起点的话，微波 关注。硅树底的异质结器件经过70年代至今的 功率 晶体管的发展至今 已有27年历史。纵观近 发展，在微波功率方面的应用 尚不令人满意， 3O年来的发展历 史，大体可分为三个阶段：6O 但近期GeSi异质结HBT有 了突破性的进 展。 年代中期到7O年代中期以硅双极微波功率 晶体 宽禁带材料金刚石、碳化硅应用于微波功率器 管的发展为主J7O年代 中期到80年 代 中期 以 件的理论模拟已有报道 。真空器件和微电子微 GaAs微波功率场效应晶体管的发展为主J80 细加工的结合又产生了新的真空微 电子学科 。 年代中期至今以化合物半导体异质 结器 件为 真空微电子器件在微波，毫米波功率应用方面 主，其中双异质结晶体 管 (HBT)，高 电子 具有潜在的优势。国内微波功率 晶体管的发展 迁移率晶体管 (HEMT)已成为发展最快的两 现状使我们面临着双重任务。一方面要在硅、 本文为 。南京微最功率晶津管研讨舍 上的发盲 ，收稿 日期 维普资讯 GaAs同磺结