§4.3Er:Si:A1203各种结构薄膜的PL谱性质……………………………..34
§4.3.1薄膜结构中纳米硅的可见PL谱……………………………34
§4.3.2直接激发下的红外PL谱……………………………………….35
§4.3.3间接激发下的红外PL谱……………………………………36
PL谱的温度特性…………………………………………….37
§4.3.4
§4.4小结……………………………………………………………………38
第五章发光特性退火行为的研究…………………………………………………40
§5.1快速退火或常规退火对Er、Si分开掺杂多层膜发光的影响………40
§5.2先快速退火再常规退火对多层膜发光的影响………………………41
§5.3两次退火与一次退火后Er发光特性的比较…………………………43
§5.4小结……………………………………………………………………44
参考文献……………………………………………………………………………..45
发表文章……………………………………………………………………………..47
蜀C谢………………………………………………………………………………………………..48
万方数据
硕士论文
Er、Tm掺杂ZBO/A1203的光致发光的研究
塑堡堂系 筮苤查塑堡专业
学生姓名萱壑指导老师整量煎熬援
摘要
(1)Er、Tm和Si共掺杂ZnO薄膜的研究
为了实现在ZnO半导体材料中的宽带发光,我们了研究宽带敏化剂纳米硅
双层薄膜和Er:ZnO/Tm:ZnO双层薄膜都实现了宽带发光并且前者比后者的发光
ZnO薄膜中,Er和Tm扩散至整个ZnO薄膜,原有的双层膜变为单层膜(Er:Tm:
做了变温的PL谱测量并提出可能的Er,Tm和Si.NCs间能量相互转换的机制。
(2)Si.NCs对Er的发光增强的机制
层膜结构。在用能直接激发Er的488nm和795nm的激光激发下,多层膜的光致
发光(PL)强度比单层膜的发光强度增强了20多倍。在用不能激发Er的476nm的
激光激发下,多层膜和单层膜几乎都看不到发光。这说明多层膜发光强度的增强
并非来自于Si-NCs对Er的能量传递作用而是Er的无辐射退激发的减少。从而
说明Si.NCs对Er发光的增强作用不仅可以通过能量的传递,还可以通过减少
Er的无辐射退激发。
(3)Ah03多层膜结构发光特性的退火效应
我们用三种方式对A1203多层膜进行退火:1.快速退火40秒;2.普通退火30
万方数据
硕士论文
分钟;3.先快速退火40秒再普通退火30分钟。我们发现两次退火的可以形成更
强的发光强度。其原因可能是由于其更好的促进Si-NCs的形成。
关键词:铒;铥;三氧化二铝;氧化锌:光致发光;能量传递;纳米硅
万方数据
硕士论文
Abstract
onthebroadbandemissionfromErTmandSi ZnO
(1)Research codoped
film
Inordertoachieveb
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