《La掺杂(Na0.5Bi0.5)0.82(K0.5Bi0.5)0.18TiO3系统无铅压电陶瓷的制备工艺探讨》.pdfVIP

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《La掺杂(Na0.5Bi0.5)0.82(K0.5Bi0.5)0.18TiO3系统无铅压电陶瓷的制备工艺探讨》.pdf

第26卷第4期 陶瓷学报 V01.26.NO.4 2005年12月 JOURNALOFCERAMICS Dec.2005 文章编号:1000一2278(2005)04一0243—06 La掺杂(Nao.5B‰)o.娩(Ko.5Bio.5)o.,8Ti03系统 无铅压电陶瓷的制备工艺探讨 周川钧喻佑华尹雪帆艾凡荣丁银忠 (景德镇陶瓷学院材料科学与工程学院,333001) 摘要 瓷的物相组成、显微结构和压电性能的影响。利用xRD、sEM等技术分析结果表明,合成温度的提高有利于主晶相的形成,且此系 统烧成温度范围较窄,故需控制在合适的烧成温度下才能得到高致密度的陶瓷。同时,研究了极化工艺条件对材料压电性能的影 响,结果表明,提高极化电场强度、控制适当的极化温度有利于提高材料的压电性能。 关键词:(N她5B坛5)Ti0。,(I(o函i。。)TiO。,无铅压电陶瓷 中图分类号:TQl74_75喝文献标识码:A 压电陶瓷是实现机械能与电能相互转换的功能 统陶瓷的工艺条件对其相组成、结构和性能的影响进 材料,目前压电陶瓷的研究和应用主要集中在锆钛酸 行了研究,讨论了制备高致密NBT—KBT无铅压电陶 瓷的方法。 铅(PzT)系材料。但PZT陶瓷的主要成分之一是 PbO,在PzT陶瓷生产和使用过程中,铅对环境的污 染给人类健康造成了极大的危害,因此,研究新型无 2实验内容 铅压电陶瓷已成为必然的发展趋势。 钛酸铋钠N她5Bi。.5TiO。(简称Ⅻ≥T)是一种钙钛矿 2.1陶瓷样品的制备 型的A位离子复合取代铁电体,其居里点为320℃, 实验采用化学纯或分析纯的Bi:O。、N龋0。、 在室温下有相当大的剩余极化强度Pr=38¨c/cm2和 矫顽场强Ec=73kV/cm㈣】。由于其具有很强的铁电性, 钛酸铋钠及相关系统的材料(如钛酸铋钾 理论组成配比计算配料,根据式中x值不同,给以上 KsBi。5TiQ,简称KBT)被认为是很有前途的无铅压 电材料【3】。 先前的研究表明:钛酸铋钠陶瓷相变复杂,制作 以无水乙醇为介质,球磨混料3小时;过筛干燥,在 工艺难度大,尤其是难以烧结成致密的样品和极化困 不同温度下保温2小时预合成,合成后的粉料采用 难;但是在NBT中加入一定量的改性添加剂,实现A、Y4Q型x射线衍射仪鉴定是否合成为单一的钙钛矿 B位取代从一定程度上可以克服上述缺点,并使某些 型固溶体。将合成好的粉料以无水乙醇为介质球磨6 电学性能得到提高M。本实验通过掺杂La20。,对 小时,过筛干燥得到粉料。在约每100克粉料中加入 收稿日期:2005一ol一2s 作者简介:周川钧,男,硕士生 万方数据 《陶瓷学报》2005年第4期 lo。12rnL浓度为3~4%的PVA溶液造粒,在成型压度,使结构成分均匀一致,提高陶瓷材料的力学和电 力约200MPa下压制成中20mm×2l砌的试片。试片学陛能。合成主晶相的完整程度取决于合成温度和保 烧成十分关键,在空气气氛中,严格控制温度制度, 温时问,其中合成温度为主要因素。图l是在不同温 s()()℃以下,约l()()℃/h,5(M)℃到8(J()℃,约2()()~25(J℃ /h,8()()℃到最高烧成温度,约3()()℃,h,保温2小时, 后随炉自然冷却,得到陶瓷样品。将陶瓷样品表面抛 BiJi0如随温度增加而减少,表明合成温度偏低。当 光,涂敷银浆,在83()℃下保温l()分钟烧渗电极得到 样品

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