多孔硅基氧化钨敏传感器的研究.pdfVIP

摘要 随着工业和日常生活向空气中排放的污染气体越来越多，新型高性能低功耗 的气敏传感器越来越受到人们的关注。本文主要针对多孔硅基氧化钨气敏薄膜以 及传感器的电学特性和气敏特性进行了研究。 首先，通过双槽电化学腐蚀法制备介孔硅基底。选取40，60和80mA／cm2三 种腐蚀电流密度，得到不同孔隙结构参数的介孔硅样品，对样品进行了孔隙率、 SEM、I-V特性等各种测试，分析了介孔硅的材料参数、微观形貌和电学特性等。 用静态配气法对一定浓度的NH3、C2H50H和N02进行了气敏特性测试。结果显 示：腐蚀电流密度为80mA／cm2的介孔硅样品具有较好的气敏特性。 随后，在制备的介孔硅基底上溅射氧化钨薄膜以及Pt电极，形成介孔硅基 氧化钨薄膜气敏传感器。通过对氧化钨薄膜溅射时间的选取，得到不同膜厚的样 品，对样品进行了SEM、阻温特性等各种测试，分析了介孔硅基氧化钨薄膜的 材料参数、微观形貌和电学特性等。用静态配气法对一定浓度的NH3和N02进 行了气敏特性测试。研究表明：溅射氧化钨薄膜的时间为5分钟的样品具有较好 的气敏特性。虽然器件在常温下具有较高的灵敏度，但器件的响应较慢，迫切需 求制备一种大孔硅基底，以制备更高性能的大孔硅基氧化钨薄膜气敏传感器。 最后，实验提出了大孔硅的制备方法，并对大孔硅的表面形貌，腐蚀深度， 孔隙率和气敏特性进行了测试，并且测试了大孔硅基氧化钨气敏薄传感器的气敏 特性，为下一步制备更高性能的多孔硅基氧化钨气敏传感器奠定了基础。 关键词：介孔硅大孔硅 多孔硅基氧化钨气敏传感器气敏特性 ABSTRACT Withmoreandmorecontaminated emissionsfrom and industry life， gas daily novel and sensorshasattracted attention． high-performancelow-powergas increasing This studiessilicon electrical and ofthe papermainly propertiesgassensitivity porous oxidesensors． tungstengas Firstof the all，by methodofdouble—tankeellelectrochemicalcorrosion siliconsubstrate is whosesurface oxideand meso-porous fabricated,on tungsten metalelectrodesthinfilmis the deposited 80．40 throughmagnetronsputtering．With and60mA／em。corrosion current of densityrespectively,differentparameterspore structure of silicon areattained．In the mesop