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多晶硅TFT 反相器的可靠性研究 中文摘要 多晶硅TFT 反相器的可靠性研究 摘要 本文主要研究了在交流工作条件下，基于多晶硅（polycrystalline silicon ，poly-Si） 薄膜晶体管（thin film transistor ，TFT ）技术的CMOS 反相器的可靠性。首先，借助 于RPI 模型中的kink 电流模型，将本课题组已有的TFT 开态电流模型拓展到kink 区 域。基于这一完整的开态电流模型，退化前后反相器的电压传输特性得以准确的描述。 其次，实验发现，反相器交流工作后呈现两阶段的退化。通过比较退化前后 n-TFT 和p-TFT 器件拟合参数的变化，我们发现对于退化的第一阶段，n-TFT 的器件参数会 发生较大变化，而p-TFT 的器件参数基本不变，且其变化规律符合动态热载流子（HC ） 退化机制；对于第二阶段，p-TFT 的器件参数会发生较大变化，而n-TFT 的器件参数 基本不变，且其变化规律符合动态负偏压温度不稳定性（NBTI ）退化机制。借此我 们提出假设，n-TFT 的HC 退化和p-TFT 的NBTI 退化分别主导反相器第一和第二阶 段的退化。此后，我们又通过温度实验验证了我们的假设。 基于提出的退化机制，本文有效的预测了不同脉冲输入电压条件下反相器的退化 现象。值得注意的是，对于一给定脉冲幅度和频率的输入脉冲电压，反相器性能的退 化可以通过增加脉冲下降沿时间或者减小低电平持续时间的方式来抑制。 关键词：多晶硅、薄膜晶体管、kink 电流、CMOS 反相器、可靠性 作 者：陈 威 指导老师：王明湘 I Abstract Degradation of polycrystalline silicon TFT inverters Degradation of Polycrystalline Silicon TFT Inverters Abstract Degradation of polycrystalline silicon (poly-Si) thin film transistor (TFT)-based CMOS inverters under AC operation is studied. Firstly, the previous on-state drain current model of poly-Si TFTs is extended into kink current region by combining a kink current model in RPI model. Based on the complete current model, the voltage transfer characteristics of both fresh and degraded inverters are well described. Then, a two-stage degradation performance of inverter under AC operation is observed. By comparing the fitting parameters of n- and p-TFT, hot carrier of the n-TFT and negative bias temperature instability of the p-TFT are assumed to be the competin