模电第三章的课件.ppt

（2）基于交流通路画小信号等效电路 H参数小信号等效电路 ib ic T + vce - + vbe - + vi - RL RC Rb rbe ib βib B C E Rb Rc RL ＋ Vi － ＋ Vo － C、E之间有Rc、RL、vo 发射极接地 B、E之间有vi、Rb 用小信号模型代替T 3.5.3 用H参数等效电路分析基本共射放大电路 ii io （3）求电压增益 根据 则电压增益为 rbe ib βib B C E Rb Rc RL ＋ vi － ＋ vo － 3.5.3 用H参数等效电路分析基本共射放大电路 ii io 关键：用BJT管极电流 表示vi、vo （4）求输入电阻 （5）求输出电阻 令 Ro = Rc 所以 rbe ib βib B C E Rb Rc RL ＋ vi － ＋ vo － Ri Ro 3.5.3 用H参数等效电路分析基本共射放大电路 用小信号等效电路分析法分析放大电路的求解步骤 ① 用公式估算法估算Q点值，并计算Q点处的参数rbe值 ② 由放大电路的交流通路，画出小信号等效电路。 ③ 根据小信号等效电路分析求解Av、Ri、Ro。 注意：放大电路的输入电阻不包含信号源的内阻 放大电路的输出电阻不包含负载电阻 3.5.3 用H参数等效电路分析基本共射放大电路 1. 电路如图所示。试画出其小信号等效模型电路。 解： 例题 步骤： (1) 画出三极管的内部小信号等效模型 (2) 连接各极之间以及与地之间的有关元件 (3) 标注有关电量 3.5.3 用H参数等效电路分析基本共射放大电路 例题 解： （1）由直流通路求Q点 2. 放大电路如图所示。试求：（1）Q点；（2） 、 、 。 已知?=50。 3.5.3 用H参数等效电路分析基本共射放大电路 Rb Rc RL Ro vs （2） 由小信号等效电路求解 3.5.3 用H参数等效电路分析基本共射放大电路 ii io 穿透电流ICEO也将上升。 (1) 温度对ICBO的影响------主要针对锗管 温度?10°C ? ICBO增加约一倍。 温度每升高1 °C ， ? 要增加0.5%?1.0% (3) 温度变化对? 的影响 一般发射结正向压降具有负温度系数，温度? ?VBE↓，?IB? (固定偏流直流)?IC? 。 (2) 温度变化对VBE的影响------主要针对硅管 3.6 射极偏置放大电路 3.6.1 温度对工作点的影响 ?IC?=βIB+ICEO≈ βIB 温度T ? ? 输出特性曲线上移 1)温度变化对输入特性曲线的影响 温度T ? ? 输出特性曲线族间距增大 温度T ? ? 输入特性曲线左移 硅管主要考虑VBE和?的影响； 锗管主要考虑ICBO的影响 ICBO ? ? ICEO ? ∵T ? ? VBE ? ? IB ? ? IC ? ? ? (4) 温度对BJT的影特性曲线的影响 温度每升高 1?C，UBE ? (2 ? 2.5) mV。 O 2)温度变化对输出特性曲线的影响 iC uCE T1 iB = 0 T2 iB = 0 iB = 0 3.6.1 温度对工作点的影响 稳定工作点的指导思想 ICBO ? ? ICEO ? ∵T ? ? VBE ? ? IB ? ? IC ? ? ? 使Q点随温度变化而变化。 如果温度?，电路能自动使IBQ↓下降，就可以稳定工作点。 稳定工作点原理 目标：温度变化时，使IC 维持恒定。 思路：温度↑→Ic↑变化时，通过电路参数的反馈调节→使IC↓ 维持恒定。 3.6.1 温度对工作点的影响 IB IE IC I1 + vo - + vi - 3.6.2 发射极偏置电路直流工作状况分析 1) 电路组成 2）稳定过程 T ? ? IC? ? IE? IC? ? VE?、VB不变 ? VBE ? ? IB? （反馈控制） 条件：I1 IB ， 此时， 不随温度变化而变化。 VB VBE 且Re可取大些，反馈控制作用更强。 一般取 I1 =(5~10)IB ， VB =3V~5V IB IE IC I1 + vo - + vi - 3）静态工作情况分析计算 + _ + _ 3.6.2 发射极偏置电路直流工作状况分析 IB IE IC I1 + vo - + vi - A画小信号等效电路 B确定模型参数 ?已知，求rbe e b c 3.6.3 发射极偏置电路交流工作状况分析 电压增益： ① Av b c 3.6.3 发射极偏置电路交流工作状况分析 # 射极偏置电路做如何改进，既可以使其具有温度稳定性，又可以使其具有与固定偏流电路相同的动态指标？ 关键：