《光电子器件工艺》.doc

目 录工艺流程基本工艺原理光电器件的基础理论一. 工艺流程p—n结光电二极管和太阳电池的核心都是一个p—n结,其制作的主要工艺流程如下:1.硅光电二极管:N型,(111)面硅衬底材料 [测衬底的材料电阻率] — 清洗,氧化[测二氧化硅层的厚度和折射率] — 光刻扩散区 — 清洗,预淀积(预扩),再分布(主扩)[测扩散层的方块电阻] — 磨片,清洗[衬底材料导电类型的判断] — 磷吸杂 — 光刻引线孔 — 清洗,蒸铝电极 — 反刻铝电极 — 蒸金 — 初测 [逐个测管芯的光电流,暗电流,击穿电压,判断优劣,统计成品率] — 后道2.硅太阳电池:N型(或P型)(100)面硅衬底材料 [测衬底的材料电阻率] — 表面处理,制绒面 — 清洗,氧化 [测二氧化硅层的厚度和折射率] — 光刻扩散区 — 清洗,预淀积(预扩),再分布(主扩)[测扩散层的方块电阻] — 磨片,清洗 [衬底材料导电类型的判断]— 磷吸杂 — 光刻引线孔 — 清洗,蒸铝电极 — 反刻铝电极 — 涂银浆 — 初测 [逐个测管芯的短路电流,开路电压,并与已知的商品硅太阳电池相比较,判断优劣,统计成品率] — 后道二. 基本工艺原理(一)氧化1. 氧化层的作用:(1)杂质掩蔽作用:二氧化硅薄膜能作为杂质扩散的掩蔽膜,必须具备两个条件:一是二氧化硅薄膜要有足够的厚度以阻挡杂质的扩散;二是只对那些在二氧化硅薄膜中的扩散速度比在硅中扩散速度小得多的杂质才有掩蔽作用.所以一定厚度的二氧化硅(SiO2)层有对某些杂质扩散有掩蔽作用,使杂质扩散只发生在我们选择的地方,二氧化硅层的这个重要的性质,是我们制造各种类型的晶体管和集成电路的重要基础.(2)表面保护作用:二氧化硅层的化学性能稳定,结构致密,能与硅表面牢固地结合,利用它把已形成的p—n结复盖起来,就能大大地减少器件表面受外界环境变化的影响,提高了晶体管工作的稳定性.(3)绝缘作用:二氧化硅有良好的绝缘性能,利用它可以将硅片不同的部分隔离起来,这是制造大功率晶体管和集成电路的良好基础.2. 氧化方式:(1)干氧氧化:使硅片在高温下(1000以上)与干燥的氧气作用,在硅片表面生成一层二氧化硅.这种方法形成的氧化层,结构较致密,质量较好,但氧化速度很慢;(2)水汽氧化:使硅片在高温下(1000以上)与水汽直接作用,生成氧化层.这种方法生长的二氧化硅结构较疏松,掩蔽,保护和绝缘性能较差,但它的生长速度较快;(3)湿氧氧化:让氧化通过一定温度(85-95)的去离子水,带一些水汽,变成湿润的氧气在高温下与硅片作用,生成二氧化硅层.这样得到的氧化层,生长速度较快,质量也较好.在生产中,一般采用干氧—湿氧—干氧,交替使用的氧化方法,由于湿氧氧化生长的二氧化硅薄膜表面存在硅烷醇(Si―OH),和光刻胶粘润不良,光刻时易产生浮胶现象,若再通一段时间的干氧,可使硅烷醇转变成硅氧烷(Si―O―Si),成为疏水表面,从而改善二氧化硅表面与光刻胶的接触,使光刻时不易产生浮胶.另外可以在较短的时间内,获得较好的氧化层.3. 氧化条件(供参考):温度1130 水温95 氧气流量500.ml/分干氧氧化20分钟,再通湿氧氧化30分钟,再通干氧氧化20分钟,得到氧化层的厚度约为600—800nm.氧化层厚度的设计,主要考虑扩散结深的要求,可以根据后面所附的图表自行设计氧化条件.(二)光刻通常采用的接触式曝光的光刻工艺是光学照相和化学腐蚀相结合,在SiO2薄层上或者金属薄层上获得所需的精细图形的方法,是微电子技术的基础.薄层上需要获得的精细图形首先用制版的方法做成光刻掩膜版(简称光刻版,相当于照相底片),光刻掩膜版根据图形需要,有的地方透光,有的地方不透光.光学照相是在一种感光胶膜上进行的,这种胶膜相当于照相胶卷上的药膜,但同时有抗腐蚀性,因而称之为光致抗蚀剂(又称光刻胶),主要分为正胶和负胶两种.我们实验中用负胶.负胶的特点是:胶膜凡是被光照射到的地方,发生了交链反应,变成为大分子,经过曝光的胶膜在显影液中会保留下来,以保护胶膜下的薄膜在后续的腐蚀工艺中不被腐蚀.而正胶则相反,光照使其发生分解反应,利用合适显影液就会溶除曝光部分的胶膜.经腐蚀后获得与光刻掩模版相对应的图形.随着微电子器件尺寸越来越小,光刻工艺的进步是最基本的技术支撑.实验中光刻由七个小的工艺组成,其工艺流程示意图如下:1. 涂胶将光刻胶滴在清洁干燥的硅片上,利用高速旋转的转盘的离心力,将多余的胶甩去,在硅片表面形成均匀胶膜.对涂胶的要求是:胶膜均匀,达到预定的厚度,与氧化膜粘附良好,无灰尘,夹杂物等.涂胶的均匀度一般是凭操作者的眼睛来观察的,即从胶层在硅片边缘呈现的不同颜色的干涉条纹的情况,来判断胶膜的均匀性.如果彩色干涉条纹宽而且少,有规