准一维金属氧化物半导体纳米材料的气相合成、结构表征及其发光性能的研究.pdf

准一维金属氧化物半导体纳米材料的 气相合成、结构表征及发光性能研究 摘 要 近年来，一维纳米材料因其在众多领域所显示出重要应用前景而受到普遍 重视。准一维纳米材料，包括纳米线(棒)、纳米管、纳米带、纳米同轴电缆、 异质结与超晶格纳米线，不仅是研究电、光、磁、热等基本物理性质尺寸与维 度依赖的理想体系。而且可以作为连接与功能组元在“由下至上”设计与构建 新一代电子、光电器件中发挥不可替代的作用。目前有关准一维纳米材料的研 究已经成为纳米材料科学领域的中心课题之一。 虽然准一维纳米材料的研究己经取得长足进步，在短短的十几年的时间内 便 完成了由材料制备向原型器件的跨越。同时应该注意到，准一维纳米材料的可 控合成依然是个有待解决的问题。实现对准一维纳米材料的生长、成份、结构 的人工控制，是准一维纳米材料应用的前提和基础。围绕准一维纳米材料的可 控合成及其物性，我们做了一系列的研究，主要的研究工作及结果如下： 1．自组装周期挛晶结构的In掺杂ZnO纳米线的制各、结构表征、生长机制 以及发光性能研究 准一维纳米材料的掺杂对其实际应用具有重要意义，但这方面的研究还刚 刚起步。我们利用催化剂辅助的气相法及某些有机物、氧化物系，易形成成分 方法，首次合成了在纳米线径向上具有周期纳米孪晶结构、高掺杂浓度的单晶 o凹角模型解释了纳 ZnO纳米线。并提出一种结合VLS机制和Z3孪晶界的141 米线的生长。光致发光的测量发现掺杂ZnO纳米带的紫外(uv)发光峰相比未 掺杂的样品明显红移并且展宽。我们认为发光峰的红移归结于半导体能隙的缩 窄，而展宽则归结于非均匀掺杂及掺杂导致的带尾态的影响。根据Uv峰位的 位移，估算出ZnO掺杂纳米线中的载流子浓度约为7×1019cm～。我们的研究为 准一维纳米材料的掺杂提供了一种有效的途径。 2．三元氧化物ZnGa204纳米线的气相合成及其生长机制、发光性能研究 多元氧化物准一维纳米材料的气相合成极少有报道，其研究还有待开展。 我们采用气相法成功地制备出尖晶石矿(立方)结构的三元氧化物ZnGa204的纳 方向生长，通过对ZnGa204纳米线生长机理的深入研究，我们提出一种自催化 生长机制来解释三元氧化物ZnGa204纳米线的生长。这种纳米线无论在研究基 本物理过程，如低维电子输运、量子束缚效应等方面，还是在纳米光电器件方 面都存在一些潜在的用途。类似的合成三元氧化物纳米线的方法还可以拓展到 其他多元氧化物纳米线的合成中，我们的研究为多元氧化物准一维纳米结构的 合成开辟了一条可行的途径。 3．Ga掺杂Sn02纳米线的合成及生长机制、光学性能研究 在900℃温度条件下，通过热蒸发金属Ga和SnO与石墨混合粉末合成了 手段，对所合成的准一维纳米材料的结构及生长机制进行了研究，分析表明掺 Ga改变了Sn02纳米线的微观结构和形貌，分析发现纳米线的生长是以金属Ga 为催化剂的VLS生长机理生长的。分析表明掺Ga改变了Sn02纳米线的微观结 构和形貌，分析发现纳米线的生长是以金属Ga为催化剂的VLS生长机理生长 机制”，使得VLS机制生长又添新的内涵。室温光致发光谱表明所合成的SnO： 纳米结构具有一个583nm常见的缺陷峰。 关键词：准一维纳米材料：热蒸发方法；单重纳米孪晶；闪锌矿结构；光致发光 and Vapor-phaseSynthesis，Characterization of Semiconductor Quasi--one--dimensional Properties Abstract dimensional(1D)nanomaterials，including Quasi．one and ideal for nanowires，aresystems nanobelts，na