材料科学基础-3晶体缺陷.ppt

当N和n非常大时，可用Stirling公式 Lnx! ≈xlnx-x 所以：△Sc=k[(N+n)ln(N+n) –NlnN-nlnn] △F=n(Ev-T △Sv)-kT[(N+n)ln(N+n) –NlnN-nlnn] 平衡时， 当N远大于 n时，lnN/n ≈ (Ev-T △Sv)/kT 刃型位错和螺型位错的异同点 4.位错的重要性质 （1）位错线不能中止的晶体内部。 （2）若中止在晶体内部，必然与其它位错线相连。 （3）若不与其它位错线相连，则在晶体内部形成闭合位错环。 在切应力作用下，异号位错运动方向相反，滑移效应相同。同一滑移面上的异号位错如果相遇，位错消失，刃型、螺型位错都是如此。 刃型位错线的方向与柏氏矢量方向 ，与位错线运动方向 ，与切应力方向 。最终扫出晶体，在与位错线 方向上形成一个b台阶。 螺型位错线的方向与柏氏矢量方向 ，与位错线运动方向 ，与切应力方向 。最终扫出晶体，在与位错线 方向上形成一个b台阶。 刃型位错线的攀移是半排原子面向上移或下移一个 ，前者称为 ，后者称为 ，是在 应力作用下进行的。 柏氏矢量相互垂直刃位错交截 柏氏矢量相互平行刃位错交截 柏氏矢量相互垂直刃、螺位错交截 柏氏矢量相互垂直两根螺位错交截 同号位错 y＞0,fy ＞0,正攀移 y＜0,fy ＜0,负攀移 即沿y轴方向相互排斥 异号位错 y＞0,fy＜0,负攀移 y＜0,fy ＞0,正攀移 即沿y轴方向相互吸引，最终位错可能合并消失 3.2.5位错的生成和增殖1.位错的密度 3.3.1 外表面 由于另一侧无原子，配位数少于晶体内部，表面几层原子点阵畸变，能量高于晶体内部 表面能 γ －－晶体表面单位面积能量的增加，与表面张力 σ 相等 ， γ＝dW/dS（J/m2） 不同的晶面为外表面时，被破坏的结合键的数目不同→表面能各向异性 密排面的表面能低：体心立方 {110} ，面心立方 {111} 表面能最低 外表面杂质的吸附显著影响表面能 ， 杂质在外表面的物理吸附 ( 分子键 ) ，化学吸附 ( 离子键、共价键 ) 3.3.2 晶界和亚晶界 ★多晶体中，每一个晶粒就相当于一个小单晶  ★相邻晶粒的位向不同，交界面叫 晶粒界 ，简称晶界  ★晶粒内部位向差极小的亚结构，交界为 亚晶界  ★晶界的结构、性质与相邻晶粒的位向差有关。位向差小于10o， 小角度晶界 ； 10o以上， 大度角晶界  ★晶界处原子排列紊乱，能量增高=晶界能 2. 大角度晶界的结构 晶界中原子过于密集的区域为压应力区，原子过于松散的区域为拉应力区 大角度晶界晶界能较高，在 0.5-0.6J/m2，与相邻位向无关 某些特殊位向的大角度晶界界面能很低－－重合位置点阵模型，两晶粒有 1/n 原子处在重合位置，构成 1/n 重合位置点阵 两个晶粒有 1/5 的原子是在另一晶粒点阵的延伸位置；重合位置构成重合位置点阵 晶界与重合位置点阵的密排面重合或以台阶方式与重合位置点阵的几个密排面重合时，晶界上的重合位置多，晶界的畸变下降，晶界能降低 3.3 .3孪晶界 3.3.4 相界 三种相界结构：共格界面、半共格界面、非共格界面 共格界面：两相必须有特殊的位向关系，而且原子的排列、晶面间距相差不大，大多数情况下共格界面产生弹性应变 和应力，使界面原子匹配。 半共格界面：相邻晶面间距相差较大，界面上原子不能完全对应 。 失配度 δ＝ ( αα - αβ)/ αα 失配度越大，界面位错间距 D 越小。δ 0.05 为完全共格；δ =0.05~0.25 为半共格界面；δ 0.25 ，完全失去匹配能力，成为非共格界面。 共格界面界面能最低，非共格界面界面能最高，半共格界面界面能居中。 非共格孪晶界界面能约为大角度晶界的 1/2 2.晶界特性 当晶体中存在能降低界面能的异类原子时，这些原子将向晶界偏聚－－内吸附 晶界上原子具有较高的能量，且存在较多的晶体缺陷，使原子的扩散速度比晶粒内部快得多 常温下，晶界对位错运动起阻碍作用，故金属材料的晶粒越细，则单位体积晶界面积越多，其强度，硬度越高 晶界比晶内更易氧化和优先腐蚀 大角度晶界界面能最高，故其晶界迁移速率最大。晶粒的长大及晶界平直化可减少晶界总面积，使晶界 能总量下降，故 晶粒长大是能量降低过程 ，由于晶界迁移靠原子扩散，故只有在较高温度下才能进行 由于晶界具有较高能量，固态相变时优先在母相晶界上形核 3.3 表面及界面 1.小