Si-%2c3-N-%2c4-陶瓷二次PTLP连接过程和机理的研究.pdfVIP

摘要 摘要 本文通过实验系统研究了si龇／Ti／Cu／Ti／Si扎PTLP(PartialTransient Liquid 参数等对SiS。陶瓷连接接头界面微观结构、反应层厚度、元素分布、室温强度的影 响，探明了二次PrLP连接接头高温强度随温度变化的规律，并对PTLP连接过程动 力学进行了研究，建立了si批陶瓷PTLP连接数值模型和PTLP连接参数优化选择 模型。论文主要结论如下： 采用Ti／cu／Ti中间层对Si3N．陶瓷进行PTLP连接，界面微观结构为： 层增宽；Ti箔厚度达到一定值后，随Ti箔厚度增加，TiN层增厚，同时Ti-Si化合 物层亦逐步增厚．在相同连接参数下，Ti箔过薄不能形成连续的反应层导致连接 强度极低：Ti箔过厚，则因脆性反应层增厚，使连接强度亦降低；采用Ti箔厚 p 度为10m、Cu箔厚度为250IIm，在1050℃、保温3h的试验条件下获得 Si扎／Ti／Cu／Ti／si扎连接接头室温四点弯曲强度为2loMpa。 Si小14／TdCu／TdSi3N4IvrLP连接过程动力学研究表明：界面反应层的生长符合扩 散控制的抛物线方程。1323K时，反应层生长因子为A=9．234x10‘Sm／s”；在1283～ 温凝固时间t之间亦满足抛物线关系。在1323K时，等温凝固速率因子乜为1．5×lO。 m／s船。PTLP连接时，反应层增长和等温凝固同时进行，通过改变时间和温度可以 协调这两个动力学过程，使反应层达到最佳厚度Zc时，等温凝固刚好完成，以同时 获得高的室温连接强度和高温连接强度。 是通过对反应层厚度的影响体现的；改变二次连接工艺参数对界面反应层厚度无 明显影响，其对室温连接强度的影响是由于连接接头残余应力和界面结合强度的 变化所导致的；接头高温强度在试验温度400C时达到最大，随后随试验温度升高， 高温强度降低，但在800C前，其高温强度具有很好的稳定性。 建立了Si,N。陶瓷二次PTLP连接过程数学模型，阐述了利用该模型选择连接参 数的方法。在一次PnJ连接后形成的等温凝固层与陶瓷不再发生明显反应时：对 于特定的Sign．陶瓷连接，在一定连接温度时，首先应根据实验结果和文献的数据确 定最佳反应层厚度zc；其次，根据zc选择最佳活性金属箔厚度矸焉；根据选定的秭 摘要 就可决定第一次P1LP连接时间，然后再确定第二次PTLP连接液相均匀化和等温 凝固时间．根据本文提出的模型并按如上顺序选择参数，可以同时保证连接强度和 接头耐热性。 在试验分析基础上，根据菲克定律建立了豇、Si、Cu在连接接头界面区的扩散 模型，并进行了数值模拟，通过与实际测量的结果加以比较，可以看出本模型在一 定程度上较好地反映了各元素在界面的扩散行为，具有其合理性． 采用弹塑性分析方案，通过有限元计算，模拟了si3Nt陶瓷二次PTLP连接接头 残余应力的分布。结果表明：在靠近连接界面的陶瓷表面存在最大残余应力，是影 响接头抗拉强度和抗弯强度的主要因素之一，在界面以及陶瓷一侧距界面一定距离 的位置是导致接头破坏的两个主要薄弱区域。在二次PrrLP连接试样的室温四点弯曲 强度试验中发现，断裂位置均在近界面陶瓷部分，说明连接接头的断裂均是由残余 应力所主导的，故强度试验结果并不能真实反映界面连接强度。强度试验和断裂分 析的结果表明：界面一陶瓷混合墅断裂具有最高的室温连接强度。 关键词：si3№陶瓷，PTl_P连接，界面结构，连接强度，数值模拟 Abstract Abstract transient Partial aswellasdoublePTLP of liquid-phase(PTLP)bonding bonding were ceramic carriedoutinthe work Ti／Cu／Ti Si3N4