第七章 单晶体的塑性变形(课件21-2).pptVIP

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第七章 单晶体的塑性变形(课件21-2)

6.3 单晶体的塑性变形 常温或低温下,单晶体塑性变形(plastic deformation)方式: 1. 滑移(slip) 2. 孪生(twining) (2)滑移系 滑移:沿着特定的晶面(称为滑移面 slip plane)和晶向(称为滑移方向 slip direction)上运动。一个滑移面和其上的一个滑移方向组成一个滑移系(slip system)。滑移系表示晶体在进行滑移时可能采取的空间取向。 滑移系主要与晶体结构有关。晶体结构不同,滑移系不同;晶体中滑移系越多,滑移越容易进行,塑性越好。 结论:① 滑移面和滑移方向往往是金属晶体中原子排列的最密排面和最密排晶向。 如fcc: {111} 110 bcc: {110}、{112}和{123} 111 hcp: {0001} ② 每一种晶格类型的金属都有特定的滑移系,且滑移系数量不同。如:fcc中有12个, bcc中有48个, hcp中有3个。 fcc: 二、施密特定律—滑移的临界分切应力(τc) 滑移的临界分切应力(critical resolved shear stress): 计算方法: τc =σscosφcosλ 式中cosφcosλ为取向因子(orientation factor),该值越大,越有利于滑移。 软取向: cosφcosλ值大,材料的屈服点较低。 当滑移面法线方向、滑移方向与外力轴三者共处一个平面,则φ=45o时,cosφcosλ=1/2,此取向最有利于滑移,即以最小的拉应力就能达到滑移所需的分切应力,称此取向为软取向。 硬取向: cosφcosλ值小,材料的屈服点较高。当外力与滑移面平行或垂直时(φ=90o或φ=0o),则σs→∞,晶体无法滑移。 Schmid的实验结果 例题:在面心立方晶胞[001]上施加一69Mpa的应力,试求(111) 上的分应力。 解:确定该滑移系对拉应力轴的相对取向,先画出图。滑移方向和拉力轴的夹角λ=45o,cosλ=0.707。滑移面的法线和拉力轴夹角为ф, ф=54.76o. 对立方晶系,两晶面[u1v1wl] 和[u2v2w3]的夹角为: 滑移面法线[111]和[001]的夹角为: 三、几种滑移方式 单滑移 外力作用下,当只有一个滑移系统上的分切应力最大并达到了临界切应时,系统中只有一个滑移系开动,这种滑移叫单滑移。 多系滑移(multislip/polyslip):两个或多个滑移系之间交替或同时进行的滑移过程。 例如fcc中滑移系:{111}110,当拉力轴为[001]时,① 对所有的{111}面, ф角都是相同的,为54.7o。 ② λ角对[T01]、[101]、[011]、[0T1]也是相同的,为45o。 ③ 锥体底面上的两个110方向与[001]垂直,不能滑移。 则8面体上有4×2=8个取向因子相同的滑移系,当τ=τc时可同时开动。但这些滑移系由不同的滑移面和滑移方向构成,滑移时发生交互作用,产生交割反应。 fcc晶体中的复滑移 交滑移(cross-slip): 交滑移:螺旋位错在两个或多个滑移面沿着共同的滑移方向同时或交替进行,这种滑移方式称为交滑移。当一个位错在一个滑移面上运动受阻,会转到另一个滑移面上继续滑移。在变形晶体的宏观形貌上观察滑移线不是平直的,有转折和台阶。 bcc结构中最易发生交滑移。如:[111]与 fcc:[110]与 交滑移在塑性变形中的作用: 扩展位错:2不全位错+层错 四、滑移中的位错机制 滑移是借助于位错在滑移面上运动来逐步进行的;晶体的滑移必在一定外力作用下才能发生,说明位错运动要克服阻力,该阻力来自点阵阻力,称为P—N力,其大小为: P327错误 结论: (1)位错宽度越大,则派一纳力越小。 (2)派一纳力主要决定于结合键的本性和晶体结构。对于方向性很强的共价键,其键角和键长度都很很难改变,位错宽度很窄,W≈b,故派一纳力很高,因而宏观表现是屈服强度很高但很脆;而金属键由于没有方向必性,位错有较大的宽度。派一纳力公式第一次定量地指出了金属中由于位错的存在,实际的屈服强度(τP-N=10-4G)可远低于理论的屈服强度(≈1/30G)。 为什么实验观察到的金属中的滑移面和滑移方向都是原子排列最紧密的面和方向。 (3)在金属中,由实验测得的材料屈服强度和派一纳力的概念联系起来,可知面心立方金属和沿基面(0001)滑移的密排六方金属,其派一纳力最低;对于不是沿基面滑移而是沿棱柱面(1010)或棱锥面(1

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