《一种能提高DRC友好性和CMP形貌的冗余金属填充方法》.pdfVIP

一 种能提高DRC友好性 和CMP形貌的冗亲金属婀充方法 卢普生，李雪，范忠，吕冬琴，李天真，张立夫 (中芯国际集成电路制造有限公司) 摘要：化学机械研磨 (CMP)被广泛用于铜镶嵌工艺，研磨后铜的厚麋和表面形貌对 65纳米以下的工艺 显得越来越重要，厚度和形貌的变动会对芯片良率和性能造成恶劣影响，所以必须在设计时就进行慎重 的考虑。 众所周知，插入冗余金属是提升CMP形貌的一个好方法，通常基于规则的方法广泛用于 65纳米及 以上工艺中，但是该技本在比较先进制程中显示不出其优越性。本文阐述了一种基于模型的冗余金属填 充方法，它是根据设计版图中的周国环境用计算机算法来填充。这一方法的优点有以下几方面：在设计 规则检查 (DRC)中更少的违规数量，更密集的图形密度分布和更少的填充图案数量，更小的密度和周长 梯度。在使用40纳米工艺的晶圆上，基于模型方法得到的表面平坦度与基于规则的填充方法相当，但是 比公开的其它填充方法要好。 关键词：化学机械研磨；可制造性设计；冗余图形填充 AModelBasedDummyFillMethodforImproving DesignFriendlinesstoDRC andCMPtopography DanielLu，HelenLi，ZhongFan，DongqinLv，TyzyLee，Li-FuChang (SemiconductorManufacturingInternationalCorporation，China) Abstract：ChemicalMechanicalPolishing(CMP)h聃beenusedincopper(Cu)damasceneprocess．Theinherent thicknessandtopographyvariationsbecomeanincreasingconcernfortoday’sdesignsrunningthroughadvnaced processbelow65nm．Excessivethicknessandtopographyvariationscanhavemajorimpactsonchipyieldnad performance，SOtheyneedtobeconsideredduringthedesignstage． ItiswellknownthatdummypatterninsertionisagoodmethodtoimproveCMPtoporgaphy．Nomr allyrulebased dummyfillapproachisusedofr65nm technologyandabove，butitbecomeslesseffectiveofradvancedtechnologies． Inthispaper， wewilldemonstrateflmodelbasedfillapproachofdummyfill，whichinsert dummywithacomputer http：／／www．cicmag．com II_IlIjl中国集成电路 T I Chi ■●_ naIntegratedCircuit —— 一 algorithmaccordingtoadequatewindowsoflayoutcontext．Ournew 甜IlOd~howsadvantageoverruleba~edoneOn thefollowingaspects：lessdensityruleviolationinDRCsignoff,moreconcentrativedet~itydistributionandless￡l1 amount， smallerdensityandperimetergradient．Surfaceflatnessmeasuredon40nm siliconwafersiscomparable