新型硅纳米晶材的制备及其发光性能的研究.pdf

新型硅纳米晶材料的制备及其发光性 能的研究 Researchon and Preparation LuminescentofNovelSi Properties Nanocrystals 学科专业 挝抖堂 作者姓名 盘题炷 指导教师 弛基熬攫 挂盏塞 副熬攫 天津大学材料科学与工程学院 二零零八年一月 中文摘要 自从英国科学家L．T．Canham成功制备出具有可见光发射性能 的多孔硅(PS)后，以电子领域最重要的半导体硅(Si)作为发光 材料的研究引起了广泛关注。而Si纳米晶作为零维纳米材料以其 特有的量子限制效应成为所有Si纳米结构发光研究中的热点。 本论文通过改变Si的晶体结构实现了Si纳米晶材料的高效发 i纳米晶材料的高强 光，通过硅一银(Si—Ag)键表面钝化PS实现S 度稳定发光，并欲通过实现Si纳米晶有序分布实现Si纳米晶材料 发光均匀化。 研究发现，采用低成本、无污染的偏压溅射法可以制备出具有 蓝光和紫外光发射的面心立方结构Si(fcc—Si)纳米晶材料。同 时通过对比金刚石结构Si(dc—Si)纳米晶材料的发光性能和吸收 i 性能发现，虽然fcc-Si纳米晶仍然属于间接带隙半导体，但fcc—S 纳米晶／si氧化物系统的发光效率更高，约为dc—Si纳米晶／si氧 化物系统的1．2～1．6倍。 另外，通过低成本、工艺简单的电化学阳极氧化和电化学沉积 二步法制备出具有Si-Ag键表面钝化的PS。研究结果表明，具有 最佳钝化效果的PS的发光强度是普通PS的3倍，且具有更高的发 光稳定性。钝化后PS的发光强度与表面Si-Ag键的数量紧密相关： 首先随着表面键数量的增多而强度增大，表面键饱和后强度达到最 大，随后随着沉积Ag数量的增多，PS的发光发生淬灭。 本论文同时通过理论和试验对Si纳米晶的有序分布做了初步 Carl 探讨。首次用Monte0方法模拟了应变场作用下Si原子在非 晶氧化硅隔离层上的分布状态。结果表明，应变场确实对Si原子 最终分布的区域具有调控作用，从理论上证明在非晶基体中，Si 纳米晶同样可以实现应变场驱动的有序分布。试验方面，通过偏压 共溅射加后续退火的方法成功制备了目前最高面密度的Si纳米晶 012 (约7×1cm一，比当前文献报道的Si／氧化硅系统的最高密度高 5～1 0倍)。高分辨电镜照片显示Si纳米晶呈现部分有序化，发光 谱显示只存在一个发光峰，初步显现了发光均匀性特征。 关键词：Si纳米晶；fcc结构；Si—Ag键；有序分布 ABSTRACT themostsemiconductormaterialsinthefieldofelectronic Si，as attractedwideinterestsince industry，has poroussilicon(PS)with emissionhasbeenfabricatedL．T．Canhamwhoisan visible-light by Si