四元系PMMN电陶瓷改性、低温烧结及叠层压电耦合器的研制.pdfVIP

四元系PMMN电陶瓷改性、低温烧结及叠层压电耦合器的研制.pdf

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四元系PMMN电陶瓷改性、低温烧结及叠层压电耦合器的研制.pdf

摘 要 本文选择四元系固溶体铌镁铌锰锆钛酸铅(PMMN),对其进行掺杂改性及低 温烧结研究,并采用低温烧结改性PMMN压电材料研制叠层压电陶瓷耦合器。 PMMN四元系压电陶瓷材料组成为: Pb(Mgl/3Nb2/3)o.04(Mni/3Nb2/3)o.04Tio.46Zro.4603 采用MgO作为掺杂改性剂,试验结果表明MgO的最佳掺杂量为0.25wt%, 此时材料具有优良的介电压电性能。1130℃烧结2小时陶瓷的性能参数为: d33=310 . 烧结功率型压电陶瓷材料。 对改性后的PMMN四元系压电陶瓷材料添加适量的低温烧结剂CdO,Si02, 基本保持了基方的压电介电性能,且使其烧结温度降至1000℃以下,980。C烧结 4小时陶瓷的性能参数为: 作叠层压电陶瓷耦合器的材料配方为: wt%Si02 利用上述材料成功研制出三层和五层的叠层压电陶瓷耦合器。对研制成功的 叠层压电陶瓷耦合器进行基本电学性能测试,表明该耦合器具有良好的频率特 性,阻抗特性及温度稳定性,满足小型化固体继电器的要求,且装贴面积较单片 压电陶瓷耦合器明显减小,可适应表面组装技术(SMT)的需要,具有实用价值。 关键词:铌镁铌锰锆钛酸铅(PMMN);MgO掺杂;低温烧结;叠层压电耦合器 Abstract The modificationand ofthesolidsolution doping low—temperaturesintering ceramics quaternarysystem Niobium-·Magnesium piezoelectric LeadZirconate that resultsshowthiskindof Titanate(PMMN)wereinvestigated.The modifiedPMMN materialssinteredat is for piezoelectric low—temperatureemployed multilayerpiezoelectriccoupler. The ofPMMN ceramicsmaterialsis compositionpiezoelectric Pb(Mgl/3Nb2/3)0.04(Mnl/3Nb2/3)o.04Ti0.46Zro.4603 waschosenasamodified resultsshowthat materials MgO dopant.The this excellent anddielectric whenthe amountof display piezoelectric properties doping isO.25 isakind sintered wt%,which materials.Main MgO ofmid-temperature power of sinteredat1130。Cfor2hour

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