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四元系PMMN电陶瓷改性、低温烧结及叠层压电耦合器的研制.pdf
摘 要
本文选择四元系固溶体铌镁铌锰锆钛酸铅(PMMN),对其进行掺杂改性及低
温烧结研究,并采用低温烧结改性PMMN压电材料研制叠层压电陶瓷耦合器。
PMMN四元系压电陶瓷材料组成为:
Pb(Mgl/3Nb2/3)o.04(Mni/3Nb2/3)o.04Tio.46Zro.4603
采用MgO作为掺杂改性剂,试验结果表明MgO的最佳掺杂量为0.25wt%,
此时材料具有优良的介电压电性能。1130℃烧结2小时陶瓷的性能参数为:
d33=310
. 烧结功率型压电陶瓷材料。
对改性后的PMMN四元系压电陶瓷材料添加适量的低温烧结剂CdO,Si02,
基本保持了基方的压电介电性能,且使其烧结温度降至1000℃以下,980。C烧结
4小时陶瓷的性能参数为:
作叠层压电陶瓷耦合器的材料配方为:
wt%Si02
利用上述材料成功研制出三层和五层的叠层压电陶瓷耦合器。对研制成功的
叠层压电陶瓷耦合器进行基本电学性能测试,表明该耦合器具有良好的频率特
性,阻抗特性及温度稳定性,满足小型化固体继电器的要求,且装贴面积较单片
压电陶瓷耦合器明显减小,可适应表面组装技术(SMT)的需要,具有实用价值。
关键词:铌镁铌锰锆钛酸铅(PMMN);MgO掺杂;低温烧结;叠层压电耦合器
Abstract
The modificationand ofthesolidsolution
doping low—temperaturesintering
ceramics
quaternarysystem Niobium-·Magnesium
piezoelectric
LeadZirconate that
resultsshowthiskindof
Titanate(PMMN)wereinvestigated.The
modifiedPMMN materialssinteredat is for
piezoelectric low—temperatureemployed
multilayerpiezoelectriccoupler.
The ofPMMN ceramicsmaterialsis
compositionpiezoelectric
Pb(Mgl/3Nb2/3)0.04(Mnl/3Nb2/3)o.04Ti0.46Zro.4603
waschosenasamodified resultsshowthat materials
MgO dopant.The this
excellent anddielectric whenthe amountof
display piezoelectric properties doping
isO.25 isakind sintered
wt%,which materials.Main
MgO ofmid-temperature
power
of sinteredat1130。Cfor2hour
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