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垂直取向CoP纳米复合膜超高密度垂直磁记录介质的研究.pdf
摘要
随着记录密度的进一步提高,传统的磁存储以及光存储受到了超顺磁效应及光学衍射
极限等问题的限制,热辅助磁记录以及垂直磁记录等技术有望实现超高密度磁记录。正1。
J/cm3(6.6—10
结构的CoPtfFePc)合金具有高达5 J/cm3)的垂直磁各向异性能,因此很适合
作为热辅助磁记录以及超高密度垂直磁记录介质材料。本文采用磁控溅射的方法制备了一一
系列CoPt纳米复合膜,并结合热辅助磁记录以及超高密度垂直磁记录介质的特性做了一一
系列的研究,得到了一系列有意义的结果。
(1)采用磁控溅射多层膜先驱体结合真空退火的方法制备了coPtcu纳米薄膜,并研
究了退火温度等制备条件对薄膜结构与性能的影响。研究表明,退火后的coPIcu纳米薄
膜在常温下具有很大的矫顽力Hc(9.1
很好地满足热辅助磁记录方式对记录介质在常温下的部分要求,但其温度特性以及其它性
能还有待进一步研究。
(2)作者采用Ag作为非磁性基质,利用磁控溅射的方法制(coPt/A2)n多层膜,
退火后得到了垂直取向的co
Pt-Ag纳米复合膜,并就薄膜厚度以及组分、Ag含量以及退
火工艺对薄膜结构与性能的影响做了细致的研究。为了进一步降低薄膜的相变温度,我在
垂直取向Con.Ag纳米复合膜的基础上掺杂少量的cu,在获得垂直取向的基础上有效地降
低了薄膜的相变温度。
关键词:热辅助磁记录; 垂直磁记录: CoPt纳米复合膜
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