抛物量子阱中的极化子能量.pdfVIP

维普资讯 第 29卷第3期 内蒙古奸 大学报 自然科学 (汉文)瓶 v。l29No3 2000年 9月 Journal InnerMongottaNommlUniversity (NaturalScienceEdition) Sep 200o ／ 抛物量子阱中的极化子能量 0 ／ 赵且 ， 堑垦壑，周炳卿 (内蒙古师范大学 物理末，内蒙古 呼和浩特 810022) 摘 要 ：研究了抛绚量子阱中电子一声子相互作用对极化子髂量 的影响，用改进的变分 法计算系统 中极化子基态和散发态骺量以及基态到第一激发态的跃迁能量，并给 出抛物量子 阱 G 占／A10 A．s中的数值结果．研 究发现，在较宽的量子阱中，电子 一声子相互作用对极 化子髓量的影响很明显．因此，讨论极化子柏量时不瞻忽略电亍■ 子相互作用． 美麓调：抛绚量子阱；鱼子一声子相互作旦；极化-T 习0 中田分类号 ：O471．1 文献标识码 ：A 文章编号 ：1001—8735(2000)03—0180—05 随着高质量半导体薄膜生长技术的发展，人们用分子柬外延 (Molecula~Beam Epitaxy) 方法，已设计和制造 出新型的半导体材料——抛物量子阱材料 ．近几年来 ，许 多作者在实 验D,2和理论 ，I1。上研究了弛物量子阱中电子和空穴的物理特性 ．Miller等 口研 究弛物量 子阱中电子和空穴的能级，给出了实验和理论结果 ；L1ma—Acosta 和 Leavittt6]分别用两个 变分参数和一个变分参数的渡函数计算了无限抛物量子阱中类氢杂质态的结合能，得 出的 结果基本一致 ；zarIg等_7】对无限抛物量子阱(有外磁场作用 )中类氢杂质态能级进行理论计 算 ，给出相应的理论结果 ；Niculescut8_用变分法研究有限抛物量子阱中单施主杂质态和双施 主杂质态的能量．并讨论无限弛物量子阱近似的有效性 ；QIXiang—h0rIg等 计算了有限弛 物量子阱GaAS ／ Ga一A；中带质量随空 间变化效应对类氢杂质态基态结合能和基态到 激 发态跃迁能量的影响 ． 上述工作均未讨论抛物量子阱中电子 一声子相互作用．本文考虑 电子 一声子相互作对 电子能级的影响，用改进 的Lee—Low—Pines变分方法计算了抛物量子阱GaAs／ALGa1 As 中电子基态和激发态能量 以及基态到第一激发态的跃迁能量 ． 1 理论计算 在有效质量近似下．抛物量子阱中极化子哈密顿量可写为 H ； H 。+H 十H f， (1) 式中第一项包括 电子动能和抛钫势能 D 2 且。彘 V(。)， (2) 收稿 日期：2肿0—01—13 作者箍舟：赵凰畦 ‘弱一)，舅(蒙古族)．内蒙古库佗散』、，内蒙古嫦艳太学剐教授，在读博士研巍生 维普资讯 第 3期 赵凤岐 荨 ：抛物量子阱中的极化于能量 181 主 z~[LL22／／． 3() 其中m 是电子有效带质量，卢是抛物参数 ，L是抛物量子阱宽度 ． 方程 (1)中第二项是定域 LO一声子场 f = ￡口 ()口 ()， (4) 其中 d ()和 d ()分别是频率为 taL、渡矢为 (，m,r／L)、宇称为